[发明专利]提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法

权利要求书

1.提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法，以上方法是在制备非晶硅太阳能电池光伏吸收层的工艺中实现的，工艺包括在透明导电基板上依次制备P型薄膜层、I型窗口层、N型薄膜层的步骤，其特征在于：制备光伏吸收层的工艺时、在透明导电基板上制备完成P型薄膜层步骤之后，增加了制备P型薄膜层与I型窗口层之间的双层缓冲膜的工序，以上工序的具体步骤包括：

A、在化学气相沉积腔室内，在透明导电基板上制备P型薄膜层后，控制基板温度为180～220℃、沉积腔室内的真空度高于1×10^-5Pa；

B、在室温条件下，在混气室中将CH₄、SiH₄、H₂按如下体积百分比混合后充入沉积腔室内：

H₂含量为91～93％、SiH₄含量5～7％、CH₄含量为2～3％；

C、控制沉积腔室内沉积压力为50～130pa、沉积温度为180～220℃、射频功率密度为0.02W/cm²～0.07W/cm²；

D、在以上沉积氛围中沉积30～60s后，在P型薄膜上沉积出第一层缓冲膜；

E、在室温条件下，在混气室中将CH₄、SiH₄、H₂按如下体积百分比混合后充入沉积腔室内：

H₂含量为89～91％、SiH₄含量7～9％、CH₄含量为1～2％；

F、保持沉积氛围不变、沉积30～60s后，在第一缓冲层上沉积出第二层缓冲膜；

G、双层缓冲膜形成后按照非晶硅太阳能电池光伏吸收层制作的常规工艺继续完成后道工序。

2.根据权利要求1所述的提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法，其特征在于：所述的步骤D中，第一层缓冲膜的厚度为

3.根据权利要求1所述的提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法，其特征在于：所述的步骤F中，第二层缓冲膜的厚度为

4.根据权利要求1所述的提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法，其特征在于：在进行步骤A前，在透明导电基板上沉积的P型薄膜层的工艺参数为：控制沉积腔室内的真空度高于1×10^-5Pa、沉积温度为180℃～200℃、沉积压力为100～150pa、功率密度为0.2～0.4W/cm²，通入B(CH₄)₃、SiH₄、CH₄、H₂气体，氢稀释比R(R＝H₂/SiH₄)为20～33，硅烷与甲烷流量比为10∶(1～1.5)。