[发明专利]双面超导带材缓冲层的连续制备方法无效
| 申请号： | 201110091978.X | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102255040A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李言荣;陶伯万;熊杰;夏钰东;张飞;赵晓辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 超导 缓冲 连续 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.双面超导带材缓冲层的连续制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
1)将含钨5％的镍基合金双轴织构基带安装在第一转盘(1)和第二转盘(8)之间；
2)将金属钇靶分别安置在对靶(4)上，两个转盘之间的基带平面的法线与相对的对靶(4)上的金属钇靶连线垂直；
3)将生长室(9)抽背底真空至5.0×10-4Pa以下，对基带(2)进行加热，使温度最终保持在600℃～660℃，向生长室(9)内充入氩氢混合气体，并使生长室(9)内保持2～3Pa氩氢混合气体，再充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa的水蒸气；
4)步进电机通过第一转盘(1)或者第二转盘(8)带动基带匀速运动；
5)开启辉光(5)，溅射金属钇靶材，在基片上沉积Y2O3薄膜；
6)关闭溅射，停止对基片加热，得到制得的Y2O3薄膜。
2.如权利要求1所述的双面超导带材缓冲层的连续制备方法，其特征在于，基带运动方向与金属钇靶连线垂直。
3.如权利要求1所述的双面超导带材缓冲层的连续制备方法，其特征在于，所述氩氢混合气体由摩尔比为96％的Ar和4％的H2组成。
4.如权利要求1所述的双面超导带材缓冲层的连续制备方法，其特征在于，步骤3)的温度保持620℃，生长室(9)内保持2.5Pa氩氢混合气体。
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