[发明专利]导电柱结构有效
| 申请号： | 201110092051.8 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102456647A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;郑明达;吕文雄;周孟纬;郭宏瑞;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 结构 | ||
1.一种半导体器件包括：
衬底；
接触焊盘，所述接触焊盘位于所述衬底上方；
钝化层，所述钝化层在所述衬底上方延伸，并且具有在所述接触焊盘上方的开口；以及
导电柱，所述导电柱在所述钝化层的所述开口上方，其中，所述导电柱包括与所述衬底的表面基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件还包括位于所述接触焊盘和所述导电柱之间的凸块下金属化(UBM)层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述凸块下金属化(UBM)层包括：
第一凸块下金属化(UBM)子层，所述第一凸块下金属化(UBM)子层具有第一宽度并且在所述接触焊盘上方；以及
第二凸块下金属化(UNM)子层，所述第二凸块下金属化(UNM)子层具有第二宽度并且位于所述第一凸块下金属化(UBM)子层上方，其中，所述第二宽度小于所述第一宽度。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一宽度和所述第二宽度之间的差值在约0.5至10μm的范围内。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一宽度和所述第二宽度的比为约1.01至1.20
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二凸块下金属化(UBM)子层的厚度在约4000至6000埃的范围内。
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一凸块下金属化(UBM)子层的厚度与所述第二凸块下金属化(UBM)子层的厚度的比为约0.15至0.25。
8.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述导电柱的上部的外边缘与所述第一凸块下金属化(UBM)子层的外边缘基本对齐。
9.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二凸块下金属化(UBM)子层的外边缘与所述导电柱的下部的内边缘基本对齐。
10.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
提供具有接触焊盘的衬底；
形成在所述衬底上方延伸的钝化层，所述钝化层在所述接触焊盘上方具有第一开口；
形成在所述接触焊盘和所述钝化层上方的凸块下金属化(UBM)层；
形成在所述凸块下金属化(UBM)层上方的感光层；
图案化所述感光层从而形成围绕着所述钝化层的所述第一开口的第二开口，其中，所述第二开口向内锥化从而使至少一部分的感光层形成锐角，在所述锐角处所述感光层与所述UBM层相接；
在所述第二开口中电镀导电柱；以及
去除所述感光层，由此在所述导电柱的底部形成底切。
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