[发明专利]一种氮化物发光二极管结构

权利要求书

1.一种氮化物发光二极管结构，它包括衬底(20)、形成于衬底(20)上的低温缓冲层(21)和发光半导体结构，所述发光半导体结构包括N型半导体层(22)、发光层(23)和P型半导体层(24)，P型半导体层(24)的上方为透明导电层(25)，透明导电层(25)上的一端置有P型电极(262)，N型氮化镓层(22)上、与P型电极(262)相对的另一端置有N型电极(261)；其特征在于，所述低温缓冲层(21)和N型半导体层(22)之间不设置非掺杂化合物半导体层。

2.根据权利要求1所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于，所述衬底(20)采用蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝和氮化镓衬底材料中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物发光二极管结构，其特征在于，所述低温缓冲层(21)为数层氮化金属层，由有机金属原料与氨气于高温下反应形成，具体可为氮化镓、氮化铝、氮化铟、氮化铟镓、氮化铝镓或者氮化铝铟镓组成的单一结构或者复合结构，其中各氮化金属层的厚度范围在0.1-100纳米之间。