[发明专利]Co-P薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种Co-P薄膜的制备方法，包括：

分别制备电解液、钴片和基片；

将多相脉冲电源的阳极与所述钴片连接，将多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接，将所述钴片和基片浸没在所述电解液中；

将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。

2.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述电解液成分包括：180-200g/L的CoCl₂·6H₂O、1-3g/L的CoCO₃、1.5-4g/L的H₃PO₄和1.5-4g/L的H₃PO₃。

3.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述电解液成分包括：180-200g/L的CoCl₂·6H₂O、5-40g/L的CoCO₃、8-50g/L的H₃PO₄和8-30g/L的H₃PO₃。

4.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述电解液的pH值在1.10-1.25之间。

5.如权利要求1所述的一种Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述钴片的纯度为99.95％，所述基片包括Cu(200nm)/Ti(50nm)/SiO₂(300nm)/Si。

6.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述钴片和基片保持平行等高并完全浸没在所述电解液中，所述基片的Cu薄膜与所述钴片相对，所述钴片和基片之间的保持3-5cm。

7.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述超声波振动器的温度为68-70℃，所述超声波振动器的水深为5cm。

8.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，将含有所述钴片和基片的电解液放置在所述超声波振动器中保温10-15分钟。

9.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述超声波振动器的功率为40-80W，所述多相脉冲电流的正极电流密度为50mA/cm²，负极电流密度分别为0mA/cm²至-17.5mA/cm²，所述多相脉冲电流的正负电流的工作时间分别为100ms和10ms。

10.如权利要求1所述的Co-P薄膜的制备方法，其特征在于，所述电镀的时间为30秒至60分钟。