[发明专利]一种制备掩埋式光波导的方法无效

专利信息
申请号: 201110093010.0 申请日: 2011-04-14
公开(公告)号: CN102736178A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 杨建义;郑伟伟;郝寅雷;王明华 申请(专利权)人: 上海光芯集成光学股份有限公司
主分类号: G02B6/134 分类号: G02B6/134;G02B6/13
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 王建国
地址: 200072 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 掩埋 波导 方法
【权利要求书】:

1.一种制备掩埋式光波导的方法,其特征在于,该方法包括:

在玻璃基片(1)的表面上制作掩膜(2),在掩膜(2)上形成离子交换窗口;

利用离子交换处理该带有掩膜(2)的玻璃基片(1);

清洗并去掉表面的掩膜(2);

在玻璃基片(1)的表面淀积一层低折射率材料(5),形成掩埋式光波导。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该离子交换是将带有掩膜(2)的玻璃基片(1)放入含有高极化率离子的熔盐中进行离子交换。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,玻璃基片上掩膜(2)所在的一侧接触的熔盐(3)和相对一侧接触的熔盐(4)之间电绝缘。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,该离子交换过程中,以掩膜(2)所在的一侧接触的熔盐(3)为正极,以相对一侧接触的熔盐(4)为负极施加电场。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该熔盐(3、4)含有高极化率离子,其选自包括Tl+、Ag+、Li+、Cs+、Rb+或Cu+的组。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,该熔盐(3、4)含有选自包括NO3-、CO32-、SO42-或Cl-的组的阴离子。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,玻璃基片(1)是掺杂稀土离子或不掺杂稀土离子的硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃或硼酸盐玻璃之一。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,掩膜(2)的材料选自Al、Ti、Ni或SiO2

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,该低折射率材料(5)是二氧化硅或聚合物材料。

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