[发明专利]LED封装成形改良方法及由此制得的封装结构

权利要求书

1.一种LED封装成型方法，其包含：

a)使用导电金属线材分别一体成型制造第一支脚及第二支脚，其中所述第一支脚及第二支脚共同构成LED封装支架；

b)将LED晶粒固定于所述第一支脚的顶端处，使所述LED晶粒与所述第一支脚电性连接；

c)以金属导线电性连接所述LED晶粒及所述第二支脚；及

d)使用热塑性树脂藉由射出成型将所述第一支脚、第二支脚、LED晶粒及金属导线封装包覆于其内，仅露出所述第一支脚及第二支脚的下端。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所制得的第一支脚具有平坦状或杯状顶端以用于置放LED晶粒，且所形成的第一支脚及第二支脚的下端具有选自由圆柱体、椭圆柱体、三角柱体、菱形柱体及多边形柱体所组成的群组的柱状外型。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电金属线材是选自由铜线、铁线及表层镀铜金属线所组成的群组。

4.根据权利要求1所述的方法，其中包括以挤压成型技术将所述导电金属线材一体成形制得所述第一支脚及第二支脚。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所制得的第一支脚及第二支脚镀银的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述热塑性树脂包含一热塑性、大体上完全氢化的乙烯基芳香族嵌段共聚物，所述大体上完全氢化的嵌段共聚物具有下列性质：a)玻璃转换温度至少138℃；b)在每秒0.025弧度的振荡频率及温度260℃下之复剪切黏度为至少2×105帕斯卡尔-秒；c)在温度260℃及表观剪切速率100倒数秒下的黏度不超过1000帕斯卡尔-秒；d)在氢化前之聚合的乙烯基芳香族含量在范围从60重量百分比至80重量百分比内，每个重量百分比皆以在氢化前之总嵌段共聚物重量为准；及e)在氢化前之重量平均分子量在范围从每莫耳40,000克至每莫耳150,000克内。

7.一种LED封装结构，其包含：

支架，其包含第一支脚及相邻于所述第一支脚且与其保持一间隔距离的第二支脚；

LED晶粒，其固定于所述第一支脚的顶端处，并与所述第一支脚电性连接；

金属导线，其电性连接所述LED晶粒及第二支脚；及

由热塑性树脂形成的封装物，将所述第一支脚、第二支脚、LED晶粒及金属导线封装包覆于其内，仅露出所述第一支脚及第二支脚的下端；

其中，所述第一支脚及第二支脚是由导电金属线材所分别形成的一体成型结构，且

所述第一支脚及第二支脚的下端具有方体柱状以外的柱状外型。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其中所述第一支脚用于黏结所述晶粒的顶端为平坦状或杯状，所述第一支脚及第二支脚的下端具有选自由圆柱体、椭圆柱体、三角柱体、菱形柱体及多边形柱体所组成的群组的柱状外型，且所述由热塑性树脂形成的封装物具有方形、三角形或圆顶形外观。

9.根据权利要求7所述的封装结构，其中所述导电金属线材是选自由铜线、铁线及表层镀铜金属线所组成的群组，且所述金属导线是金线。

10.根据权利要求7所述的封装结构，其中所述热塑性树脂包含一热塑性、大体上完全氢化的乙烯基芳香族嵌段共聚物，所述大体上完全氢化的嵌段共聚物具有下列性质：a)玻璃转换温度至少138℃；b)在每秒0.025弧度的振荡频率及温度260℃下之复剪切黏度为至少2×105帕斯卡尔-秒；c)在温度260℃及表观剪切速率100倒数秒下的黏度不超过1000帕斯卡尔-秒；d)在氢化前之聚合的乙烯基芳香族含量在范围从60重量百分比至80重量百分比内，每个重量百分比皆以在氢化前之总嵌段共聚物重量为准；及e)在氢化前之重量平均分子量在范围从每莫耳40,000克至每莫耳150,000克内。