[发明专利]镀膜件及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110093164.X 申请日: 2011-04-14
公开(公告)号: CN102732827A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 及其 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种镀膜件及其制作方法,尤其涉及一种具有黑色外观的镀膜件及其制作方法。

背景技术

黑色涂层的应用主要是为了消除或减小光线的影响,或作为产品表面的装饰涂层。目前最常用的制备黑色涂层的方法为电化学方法,如阳极氧化黑色膜,电镀黑镍或黑铬等,但该类方法污染重不环保。

PVD镀膜技术是一种较为环保的镀膜工艺。现有技术中,利用PVD镀膜技术于镀膜件表面形成的黑色膜层在工业上应用得较多的膜系主要是碳化钛(TiC)及碳化铬(CrC)等。在利用PVD镀膜技术制备黑色的碳化钛或碳化铬膜层的过程中,为了使膜层黑色的深度较大,即降低涂层的色度区域于CIE LAB表色系统中的L*值使其小于35,通常需通入大量的含碳元素的反应气体,如甲烷、乙炔等,然而这些气体通入过多时,气体会与靶材反应造成靶材中毒。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种可避免上述问题的PVD黑色镀膜件。

另外,本发明还提供一种上述镀膜件的制作方法。

一种镀膜件,包括基体及形成于该基体上的色彩层,该色彩层为CxN层,其中2/3≦x≦3;该色彩层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标介于32至35之间,a*坐标介于0.6至1之间,b*坐标介于0.8至1之间。

一种镀膜件的制作方法,其包括如下步骤:

提供基体;

采用磁控溅射镀膜法,以石墨靶为靶材,以氨气为反应气体,于该基体的表面形成色彩层;该色彩层为CxN层,其中2/3≦x≦3;该色彩层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标介于32至35之间,a*坐标介于0.6至1之间,b*坐标介于0.8至1之间。

所述镀膜件的制作方法在溅射所述色彩层时,通过对靶材的选取、反应气体氨气流量的设计及溅射时间的控制,使色彩层呈现出稳定的黑色。以该方法所制得的镀膜件呈现出黑色外观,丰富了真空镀膜层的颜色,提高了产品的外观竞争力。更重要的是,在保证该色彩层的色度区域于CIE LAB表色系统的L*低于35的情况下,无需通入甲烷、乙炔等含碳元素的反应气体,避免了因通过入过多的甲烷、乙炔等含碳元素的反应气体而造成的靶材中毒。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图。

图2是本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。

主要元件符号说明

镀膜件10基体11色彩层13真空镀膜机20镀膜室21石墨靶23轨迹25真空泵30

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1,本发明较佳实施例的镀膜件10包括基体11及形成于基体11上的色彩层13。

所述基体11的材质可为金属、玻璃、陶瓷及塑料中的一种。

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