[发明专利]真空处理装置和真空处理装置的运行方法

说明书

本案是申请日为2008年3月26日、申请号为200880010967.0(PCT/JP2008/055680)的同名专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质，该真空处理装置具有对基板进行真空处理的处理容器，和通过闸室与上述处理容器连接并具有用于进行基板的交接的搬送机构的搬送室。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，对作为被处理基板的半导体晶片(以下记作晶片)，多进行干蚀刻或CVD(Chemical Vapor Deposition)等的使用处理气体的气体处理。作为进行这样的气体处理的处理装置，从以高生产能力处理多个晶片的观点出发，已知有具有搬送室(传输腔室)和多个处理模块的多腔室型的处理装置，其中，该搬送室设置有晶片的搬送机构，该处理模块由通过闸室与该搬送室连接的处理容器(处理腔室)构成，并进行规定的气体处理。

各处理容器具有晶片的搬送口，各搬送口通过设置在闸室的闸阀自由地开闭。在搬送室上设置有惰性气体的供给口和排气口，此外，在处理容器上设置有处理气体的供给口和排气口，这些搬送室和各处理容器内均被保持在真空状态。而且，在关闭闸阀而断开两者的状态下，在处理容器内进行规定的气体处理，在搬送室和处理容器之间交接晶片的情况下，打开闸阀连通两者。

但是，在这样的真空处理装置中，在处理容器内进行的处理结束后，在该处理容器内残留有处理气体或副生成气体等。如果在闸阀打开时这些气体通过闸室扩散至搬送室，就会存在如下问题，即，成为污染的原因，或从附着在搬送室中的气体生成颗粒而污染晶片，或使搬送室内的部件发生腐蚀等，因此，必须高频度地定期地清洁搬送室。

一直以来，为了防止上述那样的问题，需要使搬送室内维持在例如数十～数百Pa左右。而且，当在搬送室和处理容器之间搬送晶片时，使处理容器内的压力(P0)比搬送室内的压力(P1)低(P0＜P1)，在搬送室内和处理容器内之间形成规定的压力差之后再打开闸阀，以抑制处理容器内的气体向搬送室扩散。但是，如上所述，因为在搬送室内也进行排气，所以即使形成压力差，也存在惰性气体向该排气口流动的情况，和惰性气体不流向处理容器的搬送口，使得来自处理容器的气体的扩散不能够被充分地抑制的情况。虽然可以考虑进一步提高搬送室的压力，但是这会增大惰性气体的消费量而增加成本。进一步，也有搬送室内的压力被设定在惰性气体从粘性流向分子流转变的转变区域或分子流区域的情况，惰性气体由于压力差而难以流动，在这种情况下，存在更容易引起来自处理容器的气体的扩散的问题。

另外，在专利文献1中，记载有在闸阀的壳内设置有排气口的真空处理装置，但是专利文献1的发明的目的和本发明的目的不同。

专利文献1：日本特开2001-291758号公报(0027段和图3)

发明内容

本发明是基于如上所述的情况而完成的，其目的在于提供一种真空处理装置、真空处理装置的运行方法和存储介质，该真空处理装置包括利用处理气体对基板进行处理的处理容器和通过闸室与该处理容器的搬送口连接的搬送室，其中，搬送室还包括对上述处理容器进行基板的交接的搬送机构，在上述搬送口打开期间，该真空处理装置能够抑制处理容器内的残留气体向搬送室扩散。

本发明是一种真空处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其具有基板的搬送口，保持真空气氛并利用处理气体对基板进行处理；搬送室，其通过闸室与该处理容器的上述搬送口连接，并包括通过上述搬送口对上述处理容器进行基板的交接的搬送机构，该搬送室保持真空气氛；闸阀，其设置于上述闸室，用于当在上述处理容器内进行基板的处理时关闭上述搬送口，当对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口；以及设置在上述闸室中分别的闸室惰性气体供给部和闸室排气口，其用于至少在上述搬送口打开期间，在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流，以抑制处理容器内的残留气体向上述搬送室扩散。

本发明是一种真空处理装置，其特征在于：在上述闸室内的闸阀关闭时，停止来自上述闸室惰性气体供给部的惰性气体的供给。

本发明是一种真空处理装置，其特征在于：在搬送室中，设置有用于在该搬送室内形成惰性气体的气流的搬送室惰性气体供给部和搬送室排气口。

本发明是一种真空处理装置，其特征在于：在上述闸室内的闸阀关闭时，该闸室的闸室排气口被关闭。

本发明是一种真空处理装置，其特征在于：闸阀以配合搬送口的开闭而开闭闸室的闸室排气口的方式构成。