[发明专利]宽带模拟带通滤波器

权利要求书

1.一种带通滤波器，包括：

RF输入端；

RF输出端；

在所述RF输入端和RF输出端之间串联耦合的多个电可调耦合电容器；

多个谐振电路，每个谐振电路包括电可调谐振电容器，其耦合至其中一个耦合电容器；以及

至少一个电阻，在所述Rf输入端和RF输出端之间、与至少一个耦合电容器串联耦合，用于提供所述滤波器的提高的带外抑制。

2.根据权利要求1所述的滤波器，还包括第一控制电路，其耦合至至少一个耦合电容器，用于调节所述滤波系统的带宽。

3.根据权利要求2所述的滤波器，其中所述第一控制电路包括带宽控制端以及在所述带宽控制端和每个耦合电容器之间串联耦合的电感和电阻，用于调谐所述耦合电容器。

4.根据权利要求1所述的滤波器，还包括第二控制电路，其耦合至所述谐振电路的至少一个谐振电容器，用于调节所述滤波系统的中心频率。

5.根据权利要求4所述的滤波器，其中所述第二控制电路包括频率控制端以及在所述频率控制端和每个谐振电容器之间串联耦合的电感和电阻，用于调谐所述谐振电路。

6.根据权利要求1所述的滤波器，其中每个电容器包括变抗器。

7.根据权利要求6所述的滤波器，其中每个变抗器包括耦合在一起的两个二极管。

8.根据权利要求6所述的滤波器，其中每个变抗器仅包括一个二极管。

9.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述滤波器在平面单片基板上实施。

10.根据权利要求9所述的滤波器，其中所述单片基板选自于GaAs或SiGe的集合。

11.根据权利要求6所述的滤波器，其中每个变抗器包括PN结。

12.根据权利要求6所述的滤波器，其中每个变抗器包括场效应晶体管FET，并在所述FET的棚极和源极之间使用电容。

13.根据权利要求1所述的滤波器，其中每个电容器包括基于铁电的电容器。

14.根据权利要求1所述的滤波器，其中每个变抗器包括基于MEMS的电容器。

15.根据权利要求9所述的滤波器，其中所述单片基板被安装为表面安装封装。

16.根据权利要求1所述的滤波器，其中至少一个电阻是非寄生电阻。

17.根据权利要求1所述的滤波器，其中至少一个电阻包括第一和第二电阻，与其中一个谐振电路耦合在一起，所述谐振电路耦合至所述第一和第二电阻之间的节点。

18.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述至少一个电阻的值在大于0至100欧姆的范围内。

19.一种带通滤波器，包括：

RF输入端；

RF输出端；

在所述RF输入端和RF输出端之间以背对背的方式串联耦合的多个电可调谐变抗器对；

多个谐振电路，每个谐振电路包括电可调谐振电容器，其耦合至其中一对变抗器；以及

在至少一对变抗器之间串联耦合的至少一个电阻，用于提供所述滤波器的增强的带外抑制。

20.根据权利要求19所述的滤波器，还包括第一控制电路，其耦合至至少一对变抗器，用于调节所述滤波系统的带宽。

21.根据权利要求20所述的滤波器，其中所述第一控制电路包括带宽控制端以及在所述带宽控制端和各对变抗器之间串联耦合的电感和电阻，用于调谐所述变抗器。

22.根据权利要求19所述的滤波器，还包括第二控制电路，其耦合至所述谐振电路的至少一个谐振电容器，用于调节所述滤波系统的中心频率。

23.根据权利要求22所述的滤波器，其中所述第二控制电路包括频率控制端以及在所述频率控制端和每个谐振电容器之间串联耦合的电感和电阻，用于调谐所述谐振电路。

24.根据权利要求22所述的滤波器，其中所述滤波器的配置包括Chebyshev滤波器。

25.根据权利要求22所述的滤波器，其中所述Chebyshev滤波器是三阶滤波器。