[发明专利]宽带模拟低通滤波器

权利要求书

1.一种低通滤波器，包括：

RF输入端；

RF输出端；

在所述RF输入端和RF输出端之间串联耦合的多个电感器；以及

至少一个电可调电容器，其耦合到其中一个电感器的节点；

至少一个电感器包括绕组以及跨越所述绕组的一部分串联耦合的电阻和电容，用于增强所述低通滤波器的带外抑制。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述电阻和所述电容在使所述电感器实现谐振的频率处相位差约为180度的两个节点之间串联耦合。

3.根据权利要求1所述的滤波器，其中多个电可调电容器中的每一个包括变抗器。

4.根据权利要求3所述的滤波器，其中每个变抗器包括按照阳极接阳极或阴极接阴极方式耦合在一起的两个二极管。

5.根据权利要求1所述的滤波器，还包括控制电路，其耦合至所述电可调电容器，用来调节所述滤波器的截止频率。

6.根据权利要求5所述的滤波器，其中所述控制电路包括频率控制端，以及在所述频率控制端和每一个可调电容器之间串联耦合的电感和电阻，用于对所述可调电容器进行调谐。

7.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述滤波器在平面单片基板上实现。

8.根据权利要求7所述的滤波器，其中所述单片基板选自于GaAs或SiGe的集合。

9.根据权利要求3所述的滤波器，其中每个变抗器包括PN结。

10.根据权利要求3所述的滤波器，其中每个变抗器包括场效应晶体管FET，并在所述FET的栅极和源极之间使用电容。

11.根据权利要求1所述的滤波器，其中每个电可调电容器包括基于铁电的电容器。

12.根据权利要求1所述的滤波器，其中每个电可调电容器包括基于MEMS的电容器。

13.根据权利要求7所述的滤波器，其中所述单片基板被安装为表面安装封装。

14.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述每个电感器是集总电感器。

15.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述每个电感器是螺旋电感器。

16.根据权利要求3所述的滤波器，其中所述每个变抗器包括一个二极管。

17.根据权利要求1所述的滤波器，其中至少一个电可调电容器耦合在接地与其中一个电感器的节点之间。

18.根据权利要求1所述的滤波器，其中所述电容的电抗的幅值约等于所述电阻器在所述电感器的谐振频率处的值。

19.一种低通滤波器，包括：

RF输入端；

RF输出端；

在所述RF输入端和RF输出端之间串联耦合的多个电感器；

至少一个电可调电容器，其耦合在接地与其中一个电感器的节点之间；以及

控制电路，其耦合至谐振电路的所述电可调电容器，用于调节所述滤波器的截止频率；

每个电感器包括绕组以及跨越所述绕组中使所述电感器实现谐振的频率处相位差约为180度的两个节点串联耦合的电阻和电容，用于增强所述低通滤波器的带外抑制。

20.根据权利要求19所述的滤波器，其中所述多个电可调电容器中的每一个包括变抗器。

21.根据权利要求20所述的滤波器，其中所述每个变抗器包括按照阳极接阳极或阴极接阴极方式耦合在一起的两个二极管。

22.根据权利要求20所述的滤波器，其中所述每个变抗器包括一个二极管。

23.一种电感器，包括：

绕组；以及

跨越所述绕组的一部分串联耦合的电阻和电容，以增强所述电感器的带外抑制，所述电阻和所述电容在所述绕组中使所述电感器实现谐振的频率处相位差约为180度的两个节点之间串联耦合。

24.根据权利要求23所述的电感器，其中所述电容的电抗的幅值约等于所述电阻器在所述电感器的谐振频率处的值。