[发明专利]一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110094054.5 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102181831A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;乔振聪;程轲;程纲 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铜 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
1. 一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法在基底上溅射金属铜薄膜，然后将制好的薄膜在大气气氛下退火即得所述的氧化铜纳米线阵列薄膜。
2.如权利要求1所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，在基底上溅射制备金属铜薄膜时，溅射工作电流为0.2-0.3A，工作电压为250-350 V，基底转速为0-20r/min。
3.如权利要求2所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，金属铜薄膜的厚度不大于1.5μm。
4.如权利要求3所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，本底真空度为3.0×10-3 -4.0×10-3 Pa, 工作气压为0.25-0.8Pa，所用工作气体为氩气，气体流量为15-30sccm。
5.如权利要求4所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，靶材为纯度99.99%的铜靶，尺寸为Φ=50×4 mm。
6.如权利要求1-5之一所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，退火温度为350-550℃，时间为2-10h。
7.如权利要求6所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，采用管式炉进行退火，升温速率为20℃/min。
8.如权利要求6所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，基底为FTO或普通载玻片。
9.如权利要求6所述的氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，退火过程中，所用管式炉靠近样品端封闭，另一端和大气相通。
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