[发明专利]一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110094279.0 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102181893A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;王信春;王广君;张兴堂 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D5/50 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 47500*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 调节 ph 沉积 制备 cuinse sub 薄膜 方法 | ||
1.一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：在含有铜、铟、硒离子的电解液中，室温下先将电解液pH值调至1.0—2.5，然后在阴极基底上电沉积制得铜铟硒预制膜，晾干后，把预制膜放在有固态硒源的真空或惰性气体氛围下进行退火处理后，即得铜铟硒薄膜。
2.如权利要求1所述利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：使用稀酸液调节电解液pH值，所述稀酸液为质量百分数10—20%的硫酸或盐酸。
3.如权利要求1所述利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：所述电解液中含有6.48—8.88mmol/L的铜离子、90—110mmol/L的铟离子、16—20mmol/L的H2SeO3、0.5—1.0mol/L的KCl或ＬiCl，和0.5—0.75mol/L的柠檬酸钠，其中铜、铟离子分别选自相应的硫酸盐或氯化物。
4.如权利要求1所述利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：所述电沉积模式为恒电位沉积，沉积电位为-0.5V—-0.7 V，沉积时间为20—40min。
5.如权利要求1所述利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：所述退火处理的温度为450—550℃，退火时间为20—35min。
6.如权利要求1至5任一所述利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：阴极基底材料为ITO导电玻璃或FTO导电玻璃。
7.如权利要求1所述利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：在含有铜、铟、硒离子的电解液中，室温下先用10—20%的硫酸将电解液pH值调至1.5—2.0，然后在阴极基底上电沉积制得铜铟硒预制膜，晾干后，把预制膜放在有固态硒源的真空或惰性气体氛围下于450—550℃退火处理25—30min后，即得铜铟硒薄膜；其中电解液中含有6.48—8.88mmol/L CuSO4、45—55mmol/L In2(SO4)3、16—20mmol/L的H2SeO3、0.5—1.0mol/L的KCl和0.5—0.75mol/L的柠檬酸钠；采用恒电位沉积，沉积电位为-0.5V— -0.7 V，沉积时间为20—40min；阴极基底材料为ITO导电玻璃。
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