[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有位于板(10)上的线圈(20)，该线圈(20)限定出与垂直于该板(10)的平面的方向平行的轴线，该方法包括：

制备两个分别具有平坦表面的支承基板(80)；

在每个支承基板(80)的平坦表面上形成构件(30，40，50，60)，所述构件(30，40，50，60)包括具有预定图案的布线部分(32，42，52，62)和包围布线部分(32，42，52，62)的绝缘膜(31，41，51，61)，布线部分(32，42，52，62)设有从绝缘膜(31，41，51，61)暴露的连接部分(32a，32b，42a，42b，52a，52b，62a，62b)；以及

形成线圈层部分(21)，所述线圈层部分(21)具有层叠构件(30，40，50，60)和位于所述层叠构件(30，40，50，60)的相反端部的支承基板(80)，并且其中包括由通过连接部分(32a，32b，42a，42b，52a，52b，62a，62b)相互连接的布线部分(32，42，52，62)构成的线圈(20)，线圈层部分(21)的形成包括：

使形成在支承基板(80)上的构件(30，40，50，60)相对；以及

使构件(30，40，50，60)相互结合，从而使得在支承基板(80)的平坦表面相互平行的条件下，在施加压力的同时，布线部分(32，42，52，62)通过连接部分(32a，32b，42a，42b，52a，52b，62a，62b)相互连接。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，

构件(30，40，50，60)的形成包括在形成于支承基板(80)上的所述构件(30，40，50，60)中的至少一个的表面上形成第一凹槽(34，54)，所述表面位于与相应的支承基板(80)所在侧相反的一侧，以及

在构件(30，40，50，60)的结合中，构件(30，40，50，60)被结合，从而使得通过位于构件(30，40，50，60)之间的凹槽(34，54)提供容纳空间(35，55)。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，

在所述表面上形成第一凹槽(34，54)的步骤中，第一凹槽(34，54)形成在除了连接部分(32b，52b)从中暴露的部分之外的与布线部分(32，52)相对的区域中。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，

在所述表面上形成第一凹槽(34，54)的步骤中，第一凹槽(34，54)形成在与线圈(20)的内部对应的区域中。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，

在所述表面上形成第一凹槽(34，54)的步骤中，第一凹槽(34，54)形成为连续形状，其在构件(30，40，50，60)的外端具有开口，以实现容纳空间(35，55)与线圈层部分(21)的外部之间的连通。

6.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，

在层叠构件(30，40，50，60)的相反端部具有支承基板(80)的线圈层部分(21)为第一层叠主体(90)，以及

线圈层部分(21)的形成进一步包括：

形成作为第二层叠主体(91)的另一个线圈层部分(21)；

从第一层叠主体(90)移除一个支承基板(80)；

从第二层叠主体(91)移除一个支承基板(80)；

使已经移除支承基板(80)的第一层叠主体(90)的表面和已经移除支承基板(80)的第二层叠主体(91)的表面彼此相对；以及

在施加压力的同时使第一层叠主体(90)的表面和第二层叠主体(91)的表面相互结合。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

线圈层部分(21)的形成进一步包括：

在第一层叠主体(90)的表面和第二层叠主体(91)的表面结合之前，在第一层叠主体(90)的表面和第二层叠主体(91)的表面中的至少一个上形成第二凹槽(44)，其中，

在第一层叠主体(91)的表面和第二层叠主体(91)的表面的结合中，第一层叠主体(91)的表面和第二层叠主体(91)的表面结合，从而使得通过位于第一层叠主体(90)和第二层叠主体(91)之间的第二凹槽(44)提供容纳空间(45)。