[发明专利]薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的显示装置无效
| 申请号： | 201110094630.6 | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102214677A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 秋秉权;曹圭湜;李源规;朴容焕;文相皓;申旼澈;梁泰勋;崔埈厚;崔宝京;李仑揆 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 具有 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层和源/漏电极，其中，源/漏电极设置在形成有半导体层的区域中。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，半导体层包含多晶硅。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：
源/漏区，所述源/漏区形成在半导体层的上部的预定区域中，其中，源/漏区是已被注入高浓度杂质的硅。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：
源/漏区，所述源/漏区形成在半导体层的下部的预定区域中，其中，源/漏区是已被注入高浓度杂质的硅。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管还包括：
蚀刻防止层，所述蚀刻防止层形成在半导体层的预定区域中并限定沟道区。
6.一种显示装置，所述显示装置包括如权利要求1至5中的任意一项权利要求所述的薄膜晶体管。
7.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
基底；
栅电极，所述栅电极设置在基底的上部上；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在栅电极上；
半导体层，所述半导体层设置在栅极绝缘层上；
源/漏区，所述源/漏区设置在半导体层的上部的预定区域中；
源/漏电极，所述源/漏电极电连接到源/漏区，
其中，半导体层插入到栅电极和源/漏电极之间的所有区域中。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中：
半导体层的长度比从源电极到漏电极的长度长。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其中：
从源电极到漏电极的长度是从源电极的端部到漏电极的端部的长度中的最长长度。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中：
半导体层的宽度比源电极或漏电极的宽度大。
11.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中：
源电极设置在半导体层的中心区域中，呈U形的漏电极在半导体层的外部区域中围绕源电极。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中：
半导体层的长度比漏电极的长度长，并且半导体层的宽度比漏电极的宽度大。
13.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其中：
漏电极的长度是从漏电极的一端到漏电极的另一端的长度中的最长长度，漏电极的宽度是从漏电极的一端到漏电极的另一端的宽度中的最长宽度。
14.一种显示装置，所述显示装置包括如权利要求7至13中的任意一项权利要求所述的薄膜晶体管。
15.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
基底；
源/漏电极，所述源/漏电极设置在基底的上部上；
源/漏区，所述源/漏区设置在源/漏电极上；
半导体层，所述半导体层设置在源/漏区的上部上；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在包括半导体层的基底的前表面上；
栅电极，所述栅电极设置在栅极绝缘层上，
其中，半导体层插入到栅电极和源/漏电极之间的所有区域中。
16.如权利要求15所述的薄膜晶体管，其中：
源/漏电极设置在形成有半导体层的区域上。
17.一种显示装置，所述显示装置包括如权利要求15至16中的任意一项权利要求所述的薄膜晶体管。
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