[发明专利]掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法

权利要求书

1.一种掺杂单元，其特征在于，该掺杂单元包括：

一N型基底；

形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；

形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域；

形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域；

其中，该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域互不接触，该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触，以及该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

2.如权利要求1所述的掺杂单元，其特征在于，该掺杂单元还包括位于该N型基底表面的N型掺杂层或者P型掺杂层。

3.如权利要求1所述的掺杂单元，其特征在于，该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域的最小距离至少为10μm。

4.如权利要求1所述的掺杂单元，其特征在于，该P型重掺杂区域的宽度为1000-3000μm和/或N型重掺杂区域的宽度为250-700μm。

5.如权利要求1所述的掺杂单元，其特征在于，该P型轻掺杂区域和/或N型轻掺杂区域的宽度为5-50μm。

6.如权利要求1所述的掺杂单元，其特征在于，该P型重掺杂区域和/或该N型重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。

7.如权利要求1所述的掺杂单元，其特征在于，该P型轻掺杂区域和/或该N型轻掺杂区域的方块电阻为60-120Ω/□。

8.一种掺杂晶片，其特征在于，其包括多个如权利要求1-7中任意一项所述的掺杂单元。

9.一种制造如权利要求8所述的掺杂晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：

在N型基底的背面中用于接触阳电极的第一区域形成P型重掺杂区域；

在N型基底的背面中的第二区域形成该P型轻掺杂区域，其中该第二区域为该P型重掺杂区域周围的区域；

在N型基底的背面中用于接触阴电极的第三区域形成N型重掺杂区域；

在N型基底的背面中的第四区域形成该N型轻掺杂区域，其中该第四区域为该N型重掺杂区域周围的区域，其中该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域互不接触，该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触，以及该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

10.如权利要求9所述的掺杂方法，其特征在于，该掺杂方法中形成P型重掺杂区域、P型轻掺杂区域以及N型重掺杂区域的步骤还包括以下步骤：

通过离子注入的方式将P型离子注入至该N型基底背面的第一区域和第二区域以在第一区域和第二区域形成P型重掺杂区域，其中P型离子的剂量为a；

通过离子注入的方式将N型离子注入至该N型基底背面的第三区域和第二区域以在第三区域形成N型重掺杂区域以及在第二区域形成P型轻掺杂区域，其中N型离子的剂量为b，并且b小于a。

11.如权利要求9所述的掺杂方法，其特征在于，该掺杂方法中形成N型轻掺杂区域的步骤还包括以下步骤：

通过离子注入的方式将P型离子注入至该N型基底背面的第四区域以在第四区域形成N型轻掺杂区域。

12.如权利要求9所述的掺杂方法，其特征在于，该掺杂方法还包括以下步骤：

步骤S_P、在该N型基底的表面形成N型掺杂层或者P型掺杂层。

13.如权利要求9-12中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，通过加速P型离子至500eV-50keV并通过离子注入的方式形成该P型重掺杂区域，使该P型重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。

14.如权利要求9-12中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，通过加速N型离子至500eV-50keV并通过离子注入的方式形成该N型重掺杂区域，使该N型重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□。