[发明专利]快速热处理设备的监测方法有效
申请号: | 201110095825.2 | 申请日: | 2011-04-17 |
公开(公告)号: | CN102751208A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 李春龙;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 热处理 设备 监测 方法 | ||
1.一种快速热退火设备的监测方法,其特征在于,所述方法包括:
提供多个产品晶圆,所述产品晶圆用于制造所需要的集成电路,每个所述产品晶圆均具有多个管芯;
所述管芯包括焊盘区域,所述焊盘区域用于将所述管芯与外部电路电连接;
将多个所述产品晶圆置于离子注入设备中,进行离子注入;
在进行离子注入之后,将多个所述产品晶圆置于快速热退火设备中,对多个所述产品晶圆进行快速热退火处理;
在快速热退火处理后,进行数据测量步骤;
其中,所述数据测量步骤包括:
在进行快速热退火后,取出多个所述产品晶圆中的任意一个或多个,测量取出的所述产品晶圆的管芯内的所述焊盘区域的热波数据,接着,将所述热波数据送入统计过程控制设备,通过对所述热波数据的统计和分析,从而监测所述快速热退火设备的状态。
2.如权利要求1所述的快速热退火设备的监测方法,其特征在于,多个所述产品晶圆分不同批次进行快速热退火,在每一个批次快速热退火后,均进行所述数据测量步骤。
3.如权利要求1所述的快速热退火设备的监测方法,其特征在于,多个所述产品晶圆分不同批次进行快速热退火,在每5个或10个批次快速热退火后,进行一次所述数据测量步骤。
4.如权利要求1所述的快速热退火设备的监测方法,其特征在于,在所述快速热退火设备每连续运行2、3或4小时后,进行一次所述数据测量步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造