[发明专利]涂硼中子探测器及其制造方法

权利要求书

1. 一种涂硼中子探测器，其包括：

阴极管，其内部沿纵向形成多个通道，每个通道的内壁都涂有硼材料；

电极丝，充当阳极，其被纵向地布置在每个所述通道内，该电极丝适于被施加高压；以及

绝缘端板，所述阴极管的每一端都固定有所述绝缘端板，所述电极丝通过所述绝缘端板与所述阴极管固定在一起。

2. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述阴极管由多个涂有硼材料的基板拼接形成，从而形成所述多个通道。

3. 根据权利要求2所述的涂硼中子探测器，其特征在于：每个所述基板呈L形，由平面状的基板折叠形成，使得每个通道具有方形截面。

4. 根据权利要求2所述的涂硼中子探测器，其特征在于：每个所述基板含有至少一个L形台阶，由平面状的基板折叠形成，使得每个通道具有方形截面。

5. 根据权利要求1或2所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述通道形成阵列，所述阵列可为2×2到M×N，其中，M、N均为大于2的整数。

6. 根据权利要求3或4所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述基板是在折叠之前被涂上硼材料。

7. 根据权利要求3或4所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述基板是在折叠之后被涂上硼材料。

8. 根据权利要求3或4所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述基板厚度从0.01mm到1mm。

9. 根据权利要求3或4所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述基板由铝、铍、塑料材料之一制成。

10. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述硼材料包括B，B₄C，B₁₀H₁₄，BN，B₂O₃，B₆S。

11. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述硼材料涂覆厚度从0.1μm到4μm。

12. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述硼材料选自由自然组分硼材料和经过筛选的富含硼-10的不同比例组分硼材料组成的组中的至少一种。

13. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述阴极管由铝、铍、塑料材料之一制成。

14. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述阴极管的内部设有涂有硼材料的分隔板，从而形成所述多个通道。

15. 根据权利要求14所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述阴极管沿其纵向具有圆形或方形截面。

16. 根据权利要求14所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述阴极管和所述分隔板由相同材料制成。

17. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述通道的长度可以从50mm到3000mm，沿所通道长度的截面的长度和宽度可以从2mm到15mm。

18. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述硼材料的涂覆方法选自电泳法、物理气相沉淀法和等离子喷涂法中的一种。

19. 根据权利要求18所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述物理气相沉淀法包括电子束蒸发、磁控溅射和脉冲激光沉积。

20. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：每个所述绝缘端板中设有独立的电极丝固定装置，用于固定所述电极丝。

21. 根据权利要求20所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述电极丝固定装置为对应每个所述通道的夹丝管，其嵌在所述绝缘端板中以允许所述通道中的电极丝从其中穿过并固定该电极丝。

22. 根据权利要求21所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述绝缘端板面向所述通道的一侧上设有对应每个通道的限位孔，以方便所述电极丝经由该孔进入所述夹丝管。

23. 根据权利要求1所述的涂硼中子探测器，其特征在于：所述绝缘端板可以由下列材料中的一种制成：陶瓷、玻璃纤维板、聚四氟乙烯、聚酰亚胺和聚醚醚酮。