[发明专利]LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：

一导电载片，用于作为所述LED芯片的金属衬底；

一N型接触电极，位于所述导电载片之上；

一Ag基底层，位于所述N型接触电极之上；

一P型接触电极，位于所述Ag基底层之上的一开槽中；

一P型GaN基半导体层，位于所述Ag基底层之上；

一N型GaN基半导体层，位于所述P型GaN基半导体层之上，所述N型接触电极通过所述P型GaN基半导体层的贯通孔与所述N型GaN基半导体层电气连接。

2.如权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

一绝缘层，覆盖所述N型接触电极，以隔绝所述N型接触电极与所述Ag基底层及其上的所述P型接触电极相接触。

3.如权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述N型GaN基半导体层位于发光表面的一侧为粗糙的表面。

4.如权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述导电载片的材质包括如下的一种或者多种：铜及其合金、Si、AlN。

5.如权利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述贯通孔为多个。

6.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

于一GaN基LED外延片上的P型GaN基半导体层表面制作一Ag基底层；

于所述Ag基底层和所述P型GaN基半导体层中刻蚀贯通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半导体层；

制作一N型接触电极，使所述N型接触电极通过所述P型GaN基半导体层的贯通孔与所述N型GaN基半导体层电气连接；

采用激光剥离蓝宝石GaN衬底后，将所述GaN基LED外延片倒置于一导电载片上；

于所述Ag基底层之上制作一开槽，并于所述开槽中制作一P型接触电极，以制作一LED芯片。

7.如权利要求6所述方法，其特征在于，所述方法还包括：

于所述Ag基底层和所述P型GaN基半导体层中刻蚀贯通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半导体层后，制作一绝缘层覆盖所述Ag基底层和所述贯通孔的侧壁。

8.如权利要求6所述方法，其特征在于，所述方法还包括：

于所述Ag基底层之上制作一开槽，并于所述开槽中制作一P型接触电极后，对所述N型GaN基半导体层位于发光表面的一侧的表面进行表面粗化处理。

9.如权利要求6所述方法，其特征在于，所述将所述GaN基LED外延片倒置于一导电载片上，包括：

采用机械键合或电镀的方式，将所述GaN基LED外延片倒置于一导电载片上。

10.如权利要求6所述方法，其特征在于，所述于所述Ag基底层和所述P型GaN基半导体层中刻蚀贯通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半导体层，包括：

于所述Ag基底层和所述P型GaN基半导体层中刻蚀多个贯通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半导体层。