[发明专利]激光处理方法和激光处理设备

权利要求书

1.一种蓝宝石基底的激光处理方法，包括：

制备上面形成有彼此隔开的多个叠层部的蓝宝石基底；

从激光光源辐射短脉冲激光束；

使所述激光光源所辐射的所述激光束穿过光束整形组件；

调节聚光单元或所述蓝宝石基底的位置，使得所述激光束通过所述聚光单元会聚到所述蓝宝石基底的内部；以及

通过使所述激光束照射到所述蓝宝石基底内在所述蓝宝石基底内形成相变区，

其中，所述激光束被引入所述蓝宝石基底内，同时避开所述蓝宝石基底上的形成有所述叠层部的区域，使得所述相变区被形成在所述蓝宝石基底内。

2.根据权利要求1所述的激光处理方法，其中，形成在所述蓝宝石基底内的所述相变区不伸到所述蓝宝石基底的前表面和后表面。

3.根据权利要求1所述的激光处理方法，还包括：

探测所述叠层部因所述激光束而发射的光致发光所产生的光。

4.根据权利要求3所述的激光处理方法，其中，所述光致发光所产生的光通过设置在所述激光光源和所述聚光单元之间的二向色镜入射到探测单元上。

5.根据权利要求1所述的激光处理方法，其中，所述激光束透入所述蓝宝石基底或所述叠层部。

6.根据权利要求1所述的激光处理方法，其中，所述叠层部包括n-GaN层、p-GaN层、InGaN层、p电极层和n电极层中的一层或多层。

7.根据权利要求1所述的激光处理方法，其中，在所述蓝宝石基底内形成所述相变区的过程中，通过沿厚度方向将所述激光束会聚到所述蓝宝石基底内的多个区域来形成所述相变区。

8.根据权利要求1所述的激光处理方法，其中，在所述蓝宝石基底内形成所述相变区的过程中，形成从所述蓝宝石基底的平面内看时相互交叉的多个第一相变区和第二相变区。

9.根据权利要求1所述的激光处理方法，还包括：

以所述相变区作为起始点切割所述蓝宝石基底。

10.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中，在切割所述蓝宝石基底的过程中，通过向所述相变区施加外力并在朝着所述蓝宝石基底的前表面或后表面的方向上从所述相变区产生裂缝来切割所述蓝宝石基底。

11.根据权利要求9所述的激光处理方法，其中，切割所述蓝宝石基底的过程包括在所述蓝宝石基底的上面或下面附着扩张膜，并通过使所述扩张膜在平面方向上的扩张来分开所述蓝宝石基底。

12.一种激光处理设备，能够对上面形成有彼此隔开的多个叠层部的蓝宝石基底进行处理，所述激光处理设备包括：

激光光源，能够辐射短脉冲的激光束；

聚光单元，能够使所述激光光源所发射的激光束会聚在所述蓝宝石基底的内部；

光束整形组件，被置于所述激光光源和所述聚光单元之间；

驱动单元，能够驱动所述聚光单元或所述蓝宝石基底，以便调节所述激光束在所述蓝宝石基底内所会聚的聚光点的位置；以及

控制器，能够控制所述驱动单元，使得所述激光束被引入所述蓝宝石基底内同时避开形成所述叠层部的区域，以便在所述蓝宝石基底内形成相变区。

13.根据权利要求12所述的激光处理设备，其中，所述控制器控制所述驱动单元，使得所述相变区不伸到所述蓝宝石基底的前表面和后表面。

14.根据权利要求12所述的激光处理设备，还包括：

探测单元，能够探测所述叠层部因所述激光束而发射的光致发光所产生的光。

15.根据权利要求14所述的激光处理设备，还包括：

二向色镜，被置于所述激光光源和所述聚光单元之间，并能够将所述叠层部所发射的光致发光所产生的光反射到所述探测单元中。

16.根据权利要求12所述的激光处理设备，其中，所述激光光源包括CO₂激光器、准分子激光器、Nd-YAG激光器、DPSS激光器中的任何一种激光器。

17.根据权利要求12所述的激光处理设备，其中，所述激光束透入所述蓝宝石基底或所述叠层部。

18.根据权利要求12所述的激光处理设备，其中，所述叠层部包括n-GaN层、p-GaN层、InGaN层、p电极层和n电极层中的一层或多层。