[发明专利]一种柔性发光器件用基板及其制备方法无效
申请号: | 201110097100.7 | 申请日: | 2011-04-18 |
公开(公告)号: | CN102208570A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 于军胜;黄江;王婉;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;C09J183/07;C09J183/06;C09J9/00;H01L51/56 |
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地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 发光 器件 用基板 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机光电子技术领域,具体涉及一种柔性发光器件用基板及其制备方法。
背景技术
光电子技术是继微电子技术之后迅速发展的科技含量很高的产业。随着光电子技术的快速发展,太阳能电池、光影像传感器、平面显示器、薄膜晶体管等光电子产品都逐渐发展成熟,它们大大改善了人们的生活。同时,光电子信息技术在社会生活各个领域的广泛应用,也创造了日益增长的巨大市场。发达国家都把光电信息产业作为重点发展的领域之一,光电子信息领域的竞争正在世界范围展开。
目前有机光电子器件大都是制备在刚性基板(如玻璃或硅片上),他们虽然具有优良的器件性能,但抗震动,抗冲击的能力较弱,重量相对较重,携带不甚方便,在某些场合的应用受到很大的限制。人们开始试图将有机光电子器件沉积在柔性基板上而不是刚性基板上。
用柔性基板代替刚性基板的好处是产品更轻、不易破碎、所占空间小且更便于携带。但是,尽管有这些优点,用柔性基板代替刚性基板还存在许多限制,柔性器件的制备仍然有许多基础问题需要解决。对于柔性衬底来说,由于柔性衬底的表面平整性远不及刚性衬底,而对柔性衬底进行表面平滑处理要特殊的设备且工艺难度较大,提高了基板的生产成本;柔性衬底的水、氧透过率远大于刚性衬底,导致光电子器件受从基板透过的水氧的影响,降低了器件的性能。
对于电极层来说,常规的电极层材料In2O3:SnO2(ITO)用作柔性基板的电极存在以下缺点:(1)ITO中的铟有剧毒,在制备和应用中对人体有害;(2)ITO中的In2O3价格昂贵,成本较高;(3)ITO薄膜易受到氢等离子体的还原作用,功效降低,这种现象在低温、低等离子体密度下也会发生;(4)在柔性衬底上的ITO薄膜会因为柔性衬底的弯曲而出现电导率下降的现象;(5)采用厚的ITO层会降低透光率,50-80%的光线在玻璃、ITO和有机层吸收掉,采用薄的ITO层工艺难度较大。近年来,由于银纳米线薄膜具有较高的电导率和可见光透过率已成为潜在的可代替ITO的电极材料,但银纳米线薄膜存在表面粗糙度大以及银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力差的缺点,降低了基于银纳米线薄膜电极的光电子器件的性能。
因此,如果能够解决上述这些问题,将会使光电子器件得到更为广泛的应用和更加快速的发展。
发明内容
本发明所要解决的问题是:如何提供一种柔性发光器件用基板及其制备方法,该基板解决了银纳米线薄膜粗糙度大以及银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力差的问题,提高了银纳米线薄膜表面的平整度以及银纳米线薄膜与柔性衬底之间结合力。
本发明所提出的技术问题是这样解决的:提供一种柔性发光器件用基板,包括柔性衬底和导电层,其特征在于,所述柔性衬底和导电层由以下两种方式中的一种构成:①所述柔性衬底为紫外光固化的有机硅胶粘剂,所述导电层为银纳米线薄膜,所述银纳米线薄膜的空隙中填充有无机发光纳米颗粒;②所述柔性衬底为掺杂无机发光纳米颗粒的紫外光固化的有机硅胶粘剂,所述导电层为银纳米线薄膜,所述银纳米线薄膜的空隙中填充有掺杂无机发光纳米颗粒的紫外光固化的有机硅胶粘剂,所述紫外光固化的有机硅胶粘剂原料包括以下质量百分比的组份:92~99.5%的光敏性的聚硅氧烷、0.1~5%的光引发剂和0.4~6%的稀释剂和助剂。
按照本发明所提供的柔性发光器件用基板,其特征在于,所述无机发光纳米颗粒尺寸为1~100nm,在第②种方式中无机发光纳米颗粒的掺杂质量比小于或等于40%。
按照本发明所提供的柔性发光器件用基板,其特征在于,所述无机发光纳米颗粒是以硫化物、氧化物、氟化物、磷酸盐、钒酸盐、铌酸盐、铝酸盐、钼酸盐等为发光基质,以稀土镧系元素作为激活剂或助激活剂的发光颗粒。
按照本发明所提供的柔性发光器件用基板,其特征在于,所述硫化物包括硫化锌、硫化镧、硫化钙、硫化铈、硫化镨、硫化钕、硫化钐和硫化钆;所述氧化物包括氧化锌、氧化钇、氧化钛、氧化钆和氧化镥;所述氟化物包括氟化钇、氟化钆、氟化镧和氟化铈;所述磷酸盐包括磷酸镧、磷酸钆、磷酸锶、磷酸钇和磷酸钡;所述钒酸盐包括钒酸钆、钒酸钇、钒酸镧、钒酸铈、钒酸钙、钒酸铅和钒酸锶;所述铌酸盐包括铌酸钙、铌酸钇、铌酸钆和铌酸镥;所述铝酸盐包括铝酸钇、铝酸钡、铝酸钆、铝酸钙和铝酸锶;所述钼酸盐包括钼酸镧、钼酸锶和钼酸钡;所述稀土镧系元素包括铕、钐、铒、钕、铽、镝、钐、铈、镱和镨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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