[发明专利]TFT基板及其形成方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT基板，包括基底，位于基底上的TFT开关；所述TFT开关包括：

栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层，与所述源区电连接的源电极，与所述漏区电连接的漏电极，电容，所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；其特征在于，

所述第一极板与所述栅极位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；

所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。

2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金属。

3.如权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴其中之一或者它们的任意组合。

4.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一极板、第二极板、栅极、源电极和漏电极的材料选自金、银、铜、铝、钛、铬、钼、镉、镍、钴、非晶硅、多晶硅、非晶锗硅、多晶锗硅其中之一或者它们的任意的组合。

5.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT开关还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述TFT开关的表面。

6.如权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所述钝化层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅或者他们的任意组合。

7.如权利要求1～6任一项所述的TFT基板，其特征在于，所述导电沟道为低掺杂硅层，所述低掺杂硅层和栅介质层之间为高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的TFT基板。

9.如权利要求8所述的显示装置，还包括固定光栅和MEMS光阀；所述固定光栅位于所述基底与所述TFT开关之间；所述MEMS光阀位于所述TFT开关之上。

10.一种形成TFT基板的方法，其特征在于，包括：

提供基底，形成第一导电层，覆盖所述基底，所述第一导电层的材料为透光率小于50％的导电材料；

图形化所述第一导电层，形成栅极、第一极板；

形成介质层，覆盖所述栅极、第一极板；

在所栅极上的介质层上依次形成低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述高掺杂硅层具有开口，开口两侧的高掺杂硅层分别为源区和漏区，所述开口暴露出所述低掺杂硅层，所述低掺杂硅层为导电沟道；

形成第二导电层，覆盖所述介质层和低掺杂硅层、高掺杂硅层，所述第二导电层的材料为透光率小于50％的导电材料；

图形化所述第二导电层，形成与源区电连接的源电极、与漏区电连接的漏电极和第二极板，所述第二极板、第一极板和第一极板上的介质层组成电容，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。

11.如权利要求10所述的形成TFT基板的方法，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层的材料选自金属。