[发明专利]氮化物系半导体晶片以及氮化物系半导体装置有效
| 申请号： | 201110097172.1 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102222690B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 土屋忠严 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 金鲜英,刘强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶片 以及 装置 | ||
【权利要求书】：
1.氮化物系半导体晶片，其在绝缘性基板上具有缓冲层、紧接着位于所述缓冲层上的一层半绝缘性氮化物系半导体层、紧接着位于所述半绝缘性氮化物系半导体层上的沟道层、以及电子供给层，所述半绝缘性氮化物系半导体层的电阻率为10MΩcm以上100MΩcm以下、膜厚为0.1μm以上且小于1μm。
2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体晶片，其特征在于，所述绝缘性基板为碳化硅、氮化镓、蓝宝石中的任一种。
3.氮化物系半导体晶片，其在导电性基板上具有缓冲层、紧接着位于所述缓冲层上的一层半绝缘性氮化物系半导体层、紧接着位于所述半绝缘性氮化物系半导体层上的沟道层、以及电子供给层，所述半绝缘性氮化物系半导体层的电阻率为10MΩcm以上100MΩcm以下、膜厚为0.5μm以上且小于1μm。
4.根据权利要求3所述的氮化物系半导体晶片，所述导电性基板为硅。
5.根据权利要求1或3所述的氮化物系半导体晶片，其特征在于，所述半导体层为镓氮化物或铝氮化物、或者镓和铝的氮化物混晶。
6.根据权利要求1或3所述的氮化物系半导体晶片，其特征在于，所述半导体层为镓和铟的氮化物混晶、或铝和铟的氮化物混晶、或者镓、铝和铟的氮化物混晶。
7.氮化物系半导体装置，其具有权利要求1至6中任一项所述的氮化物系半导体晶片。
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