[发明专利]一种基于氧化铝模板的单晶金属纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种单晶金属纳米线阵列的制备方法，包括下列步骤：

1)去除氧化铝模板的阻碍层；

2)用对金属盐液惰性的遮挡材料遮挡步骤1)中获得的去除阻碍层的氧化铝模板的铝基底；

3)将步骤2)中获得的用所述遮挡材料遮挡铝基底的氧化铝模板放入反应釜中浸没在所述氧化铝模板的金属盐液中，密封并升温至100℃以上，并且在高于100℃的温度下保温不少于10小时；

其中所述金属为金属活动性在铝之后的金属或它们中任意两种以上形成的合金，所述金属盐液为对应于所述金属或合金的易溶盐。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于：所述方法在无磁场的条件下进行。

3.根据权利要求1的方法，特征在于：所述方法在0.1T-0.5T，优选0.25T的弱磁场条件下在120～180℃下进行。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于：所述密封在由聚四氟乙烯内胆和不锈钢外壳制成的反应釜中进行。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于：所述金属选自铁、钴、铂、镍、锌、金、银和铜或它们中任意两种以上形成的合金，所述合金优选钴铂合金、镍钴合金、金银合金。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于：所述遮挡材料选自聚四氟乙烯、二氧化硅、玻璃，水泥中的任一种，优选聚四氟乙烯。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述弱磁场由钕铁硼磁铁产生，该钕铁硼磁铁放置在所述反应釜的聚四氟乙烯内胆外，不锈钢外壳内。

8.一种单晶金属纳米线阵列，其由根据权利要求1-7中任一项所述的方法制备而成，所述金属为金属活动性在铝之后的金属或它们中任意两种以上形成的合金。

9.根据权利要求8所述的单晶金属纳米线阵列，其特征在于所述金属选自铁、钴、铂、镍、锌、金、银和铜或它们任意两种以上的合金，所述合金优选钴铂合金、镍钴合金、金银合金。