[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电类型半导体层；

第一光提取结构，所述第一光提取结构设置在所述第一导电类型半导体层的外侧上并且包括形成为台阶结构的多个上表面和多个侧表面；以及

透射层，所述透射层在所述第一导电类型半导体层的第一光提取结构上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括第一半导体层和第二光提取结构，所述第一半导体层在所述第一导电类型半导体层下面，所述第二光提取结构设置在所述第一半导体层的外部上并且包括形成为台阶结构的多个上表面和多个侧表面。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述透射层进一步延伸在所述第一半导体层的第二光提取结构上。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透射层具有比所述第一导电类型半导体层的厚度薄的厚度。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透射层包括粗糙层。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一光提取结构的上表面是Ga-面。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层具有随着所述第一导电类型半导体层远离所述有源层而逐渐地变宽的宽度。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层的外部和所述第一光提取结构相对于所述第一导电类型半导体层的下表面倾斜。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透射层包括导电材料或者绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述透射层具有低于所述第一导电类型半导体层的折射率的折射率。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中沿着所述第一导电类型半导体层的外周部分以回路形状形成所述第一光提取结构的每个上表面。

12.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括电极接触部分，所述电极接触部分以台阶结构形成在所述第一导电类型半导体层的至少一个外部上并且与所述有源层的侧表面间隔开；和第一电极，所述第一电极设置在所述电极接触部分的上表面上。

13.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述发光结构层下面的衬底和在所述发光结构层上的电流扩展层，

其中设置在所述第一导电类型半导体层的外周部分处的上表面是Ga-面。

14.根据权利要求13所述的发光器件，进一步包括在所述衬底上的第一半导体层；和

在所述衬底和所述第一半导体层之间包括多个凸部的凹凸结构。

15.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第一光提取结构的每个上表面是Ga-面并且以回路的形状设置在所述第一导电类型半导体层的外周部分处。