[发明专利]晶片处理装置和晶片处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种晶片处理装置和晶片处理方法。

背景技术

在发光二极管(Light Emitting Diode，以下简称：LED)芯片的制造过程中，干法刻蚀工艺用于实现晶片的图形化刻蚀和电极刻蚀，以达到增加出光效率和完成电极引线的目的。常用的实现干法刻蚀工艺的半导体设备包括真空传输腔室和与真空传输腔室连接的工艺腔室，其中，真空传输腔室可用于将晶片传输至工艺腔室中，工艺腔室可用于对晶片进行工艺操作。随着产能需求的提高，后期的半导体设备进一步地增加了与真空传输腔室连接的装卸载腔室，装卸载腔室可用于晶片的装载和卸载，通过该装卸载腔室可以进行小批量晶片的整盒生产。

真空传输腔室和装卸载腔室中均设置有承载单元，该承载单元用于承载晶片。真空传输腔室中该承载单元为机械手，根据功能需求的不同，该机械手可以为单轴、两轴或三轴机械手。装卸载腔室中该承载单元为晶片料盒。真空传输腔室通过设置于内部的机械手可实现将晶片从装卸载腔室中的晶片料盒中取出并传输至真空传输腔室中，且进一步将晶片传输至工艺腔室中，由工艺腔室对晶片进行工艺处理，例如：刻蚀处理等。

在实际生产过程中，大气环境中的颗粒极容易落到晶片的表面，造成对晶片的污染。并且在真空传输腔室将晶片传输至工艺腔室之前，无论是真空传输腔室中还是其它腔室中均不存在对晶片表面的颗粒进行去除的工艺，因此降低了工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。

发明内容

本发明提供一种晶片处理装置和晶片处理方法，用以提高工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。

为实现上述目的，本发明提供了一种晶片处理装置，包括传输平台，所述传输平台包括用于传输晶片的腔体和设置于所述腔体内部的承载单元，所述承载单元用于承载晶片，所述装置还包括：气体管路，所述气体管路设置于所述腔体上，且所述气体管路用于向所述腔体内部提供吹扫气体。

进一步地，所述传输平台包括真空传输腔室，且所述用于传输晶片的腔体为所述真空传输腔室的腔体，且所述承载单元包括机械手和设置于所述机械手上的晶片托盘。

进一步地，所述传输平台包括装卸载腔室，所述用于传输晶片的腔体为所述装卸载腔室的腔体，且所述承载单元包括晶片料盒。

进一步地，所述气体管路设置于所述腔体的顶部，并且所述气体管路的出气口穿通所述腔体顶部进入所述腔体内部以向所述腔体内部提供所述吹扫气体。

进一步地，所述气体管路设置于所述腔体的侧面，并且所述气体管路的出气口穿通所述腔体侧面进入所述腔体内部以向所述腔体内部提供所述吹扫气体。

进一步地，所述气体管路上设置有用于调节所述吹扫气体的流量的流量控制单元，且所述流量控制单元位于靠近所述气体管路的进气口的位置。

进一步地，所述气体管路上还设置有气体流量计，所述气体流量计用于测量出所述气体管路内的吹扫气体的流量值，以供所述流量控制单元根据测量出的流量值对所述吹扫气体的流量进行调节。

进一步地，所述气体管路上设置有温度测量单元，所述温度测量单元用于测量出所述气体管路内的吹扫气体的温度值，以使所述气体管路根据测量出的温度值向所述腔体内部提供温度为预设温度的吹扫气体，所述预设温度为所述吹扫气体根据反应腔室中所要进行的工艺处理的类型而被加热或冷却后的温度。

进一步地，所述吹扫气体为惰性气体。

为实现上述目的，本发明还提供了一种应用上述晶片处理装置的晶片处理方法，该方法包括：

将晶片传输进所述腔体；

在预设时间内通过所述气体管路向所述腔体内部提供的吹扫气体对所述晶片进行吹扫；

将晶片传输出所述腔体。本发明具有以下有益效果：

本发明提供的晶片处理装置包括传输平台和气体管路，该传输平台包括腔体和承载单元，承载单元用于传输晶片，气体管路设置于腔体上，气体管路用于向腔体内部提供吹扫气体。本发明的传输平台上设置有气体管路，气体管路提供的吹扫气体可用于对晶片进行吹扫，以去除晶片表面的颗粒，避免了颗粒对晶片的污染，从而提高了工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。

本发明提供的晶片处理方法中，将晶片传输进腔体，在预设时间内通过气体管路向腔体内部提供的吹扫气体对晶片进行吹扫，将晶片传输出腔体。本发明中气体管路提供的吹扫气体可以对晶片进行吹扫，以去除晶片表面的颗粒，避免了颗粒对晶片的污染，从而提高了工艺腔室对晶片进行工艺处理的良品率。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种晶片处理装置的俯视示意图；