[发明专利]有机电致发光装置及其制作方法有效
申请号: | 201110098198.8 | 申请日: | 2011-04-19 |
公开(公告)号: | CN102751442A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;钟铁涛 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种有机电致发光装置,包括依次层叠的衬底层、阳极层、发光层及阴极层,其特征在于,所述有机电致发光装置还包括设于所述衬底层与所述阳极层之间的用于防止水分子或氧气渗入的第一水氧阻隔层,以及设于所述第一水氧阻隔层与所述阳极层之间的用于平整化所述第一水氧阻隔层的平整层,其中,所述衬底层由聚合物薄膜形成,所述第一水氧阻隔层由第一铝膜形成,所述平整层选自紫外固化胶、环氧树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺中的一种形成。
2.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述第一水氧阻隔层的厚度为20~500nm;所述平整层的厚度为20~100nm。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述阳极层由厚度在20~200nm之间的第二铝膜形成。
4.如权利要求1或2所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述阳极层包括第二铝膜及沉积在所述第二铝膜上的三氧化二铝膜。
5.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,还包括设于所述阴极层上的第二水氧阻隔层。
6.如权利要求5所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述第二水氧阻隔层为厚度在80~200nm之间的SiO膜。
7.如权利要求1所述的有机电致发光装置,其特征在于,所述聚合物薄膜使用的材料为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、环烯烃共聚物、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚乙烯或聚丙烯。
8.一种有机电致发光装置的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、将聚合物薄膜形成的衬底层清洗干净后干燥备用;
步骤二、在所述衬底层上沉积铝,形成第一水氧阻隔层;
步骤三、在所述第一水氧阻隔层上涂覆一层用于平整的黏胶,固化处理后形成平整层,其中,黏胶为紫外固化胶、环氧树脂、亚克力树脂或聚酰亚胺;
步骤四、在固化处理后的所述平整层上依次沉积阳极层、发光层及阴极层。
9.如权利要求8所述的有机电致发光装置的制作方法,其特征在于,所述第一水氧阻隔层的厚度为20~500nm;所述平整层的厚度为20~100nm;所述阳极层由厚度在20~200nm之间的第二铝膜形成。
10.如权利要求9所述的有机电致发光装置的制作方法,其特征在于,步骤四中在阳极层沉积结束后还包括将构成所述阳极层的第二铝膜在臭氧环境下氧化10~120秒以形成三氧化二铝膜的步骤;
步骤四中在阴极层沉积结束后还包括在所述阴极层上沉积一层厚度在80~200nm之间的SiO膜形成第二水氧阻隔层的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择