[发明专利]一种稀土元素掺杂钛基二氧化锰电极及其制备方法有效
申请号: | 201110098812.0 | 申请日: | 2011-04-20 |
公开(公告)号: | CN102225797A | 公开(公告)日: | 2011-10-26 |
发明(设计)人: | 周笑绿;谭小文;张艳艳;李环;商菲 | 申请(专利权)人: | 上海电力学院 |
主分类号: | C02F1/461 | 分类号: | C02F1/461 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200090 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土元素 掺杂 二氧化锰 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种稀土元素掺杂钛基二氧化锰电极,其特征在于所述电极由内层钛基体、锡锑氧化物中间层和稀土元素掺杂二氧化锰表面涂层构成;
所述的内层钛基体即为纯钛板,钛板厚度约3mm;
所述的锡锑氧化物中间层的厚度约30μm;
所述的稀土元素掺杂二氧化锰表面涂层的厚度约为100μm。
2.如权利要求1所述的稀土元素掺杂钛基二氧化锰电极,其特征在于所述稀土元素掺杂二氧化锰表面涂层中的稀土元素为铈。
3.如权利要求1或2所述的铈掺杂钛基二氧化锰电极,其特征在于其表面涂层中稀土铈与二氧化锰的摩尔比为1:25~50。
4.如权利要求3所述的铈掺杂钛基二氧化锰电极,其特征在于所述的锡锑氧化物中间层为SnO2和Sb2O5所组成的混合物,混合物中锡和锑元素的摩尔比为3.7:1。
5.如权利要求4任一所述的铈掺杂钛基二氧化锰电极的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)、钛基体的前处理:
纯钛板作为基体,经打磨和除油处理,酸浸泡除去氧化膜,然后对其酸蚀处理,形成麻面的钛基体;
(2)、锡锑氧化物中间层的制备:
称取SnCl4·5H2O 0.85g,SbCl3 0.15g,量取浓盐酸1ml,正丁醇4ml配制成中间层涂液,用毛刷将此涂液均匀地涂刷在步骤(1)经过前处理的麻面的钛基体的表面上,烘干后在500℃下烧结10min,此过程重复涂覆6次,最后在550℃下烧结30min,最终得到含锡锑氧化物中间层电极;
(3)、稀土铈掺杂二氧化锰表涂层表面涂层的制备
配制含硝酸锰和硝酸铈的表面层涂液,用毛刷将此涂液均匀地涂覆在步骤(2)已制备好含锡锑氧化物中间层电极表面,90℃下干燥10min,之后在200℃下热分解5min,此过程重复涂覆30层,350℃下的烧结时间为20min,最终得本发明的稀土铈掺杂钛基二氧化锰电极。
6.如权利要求4所述的铈掺杂钛基二氧化锰电极的制备方法,其特征在于步骤(1)中的基体的前处理方法具体如下:
使用由粗到细的金相砂纸依次打磨钛基体至光滑平整,除油处理使用饱和氢氧化钠溶液煮沸30分钟,1:1硝酸+硫酸浸泡2h,然后在10%草酸溶液中侵蚀约25min,待红褐色物质出现,形成麻面钛基体,最后用去离子水清洗,浸泡在无水乙醇中备用。
7.如权利要求4所述的稀土铈掺杂钛基二氧化锰电极可用于印染废水的处理。
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