[发明专利]一种OLED器件无效

专利信息
申请号: 201110099001.2 申请日: 2011-04-20
公开(公告)号: CN102185113A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 张方辉;丁磊;梁田静 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 器件
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种照明器件,特别是一种OLED器件。

背景技术

作为环保节能的新一代绿色光源和照明技术,与普通光源比,OLED除了软性基板照明,也有其他的照明优势,如大面积的面光源照明,驱动电压低,宽视角。OLED的性能主要取决于注入到发光层的空穴和电子的数量以及平衡性。

但是在实用化道路上还存在很多问题,如在驱动电压较大时,接触电阻热效应降低材料和器件的稳定性。从而造成器件的发光效率偏低,器件的使用寿命太短。因此,如何充分利用有机材料的优势,降低有机材料易老化的问题,是OLED器件结构设计必须考虑的问题。因为OLED器件在工作状态下,由于形成的焦耳热对有机材料影响很大,当有机材料在一定温度下工作时会使自身的性质发生变化,这样会使整个器件的载流子传输不平衡,影响整个器件性能,从而使得器件效率降低,当有机材料发生老化,器件部分会发生明显的显示不均,出现坏点等问题,最终导致器件使用寿命短。

发明内容

本发明提供了一种OLED器件,不但提高了器件寿命,而且提高了器件的发光效率。

为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种OLED器件,其特征在于:包括阳极和阴极,以及设置在阳极和阴极之间的有机材料和过渡金属氧化物,所述有机材料和过渡金属氧化物组成n维量子阱结构,n为自然数,有机材料作为发光层和电子传输层,过渡金属氧化物作为空穴传输层和电子传输层。

作为本发明的最佳实施例,所述n维量子阱结构是1,2,3,或4维;

作为本发明的最佳实施例,所述金属氧化物为氧化钼MoOx、氧化钨WO3或五氧化二钒V2O5中的一种,其厚度范围为5-60nm;

作为本发明的最佳实施例,所述有机材料为Alq3,AND,TBADN,TDAF,MADN,BSBF或BDAF中的一种,其厚度范围为5-60nm。

与现有技术相比,本发明OLED器件至少具有以下有益效果:本发明只使用一种有机材料,其余均采用金属或金属氧化物,这样既可以充分发挥无机材料的稳定性特点,同时降低了有机材料易老化的问题,另外,在空穴传输层利用阱的结构限制空穴传输,使载流子传输趋于平衡,在发光层形成的阱结构将载流子充分箝位在发光层,提高了器件的发光效率。

附图说明

图1是本发明OLED器件的结构图。

具体实施方式

下面结合结构图对本发明OLED器件及其制备方法详细描述:

请参阅图1所示,本发明OLED器件包括阳极1和阴极4,以及设置在阳极1和阴极4之间的有机材料3和过渡金属氧化物2,所述有机材料3和过渡金属氧化物组2成n维量子阱结构。其中,所述有机材料3作为发光层和电子传输层,过渡金属氧化物2作为空穴传输层和电子传输层。

所述n维量子阱结构是1,2,3,或4维。所述金属氧化物为氧化钼MoOx、氧化钨WO3或五氧化二钒V2O5中的一种,其厚度范围为5-60nm。所述有机材料为Alq3(Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium)、AND(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene)、TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene)、TDAF(2,7-bis[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene)、MADN(2-methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、BSBF(2-(9,9-spirobifluoren-2-yl)-9,9-spirobifluorene)或BDAF(2-[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yl]-9,9-di(4-methylphenyl)fluorene)中的一种,其厚度范围为5-60nm,这些有机材料出自机光科技股份有限公司。

本发明OLED器件的制备方法为:利用真空蒸镀的方法将有机材料和金属氧化物按照图1的量子阱结构进行蒸镀即可。

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