[发明专利]用于显现半导体芯片PN结的溶液及显现方法有效
申请号: | 201110099353.8 | 申请日: | 2011-04-20 |
公开(公告)号: | CN102751171A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 金波;宋世涛 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G01N1/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 显现 半导体 芯片 pn 溶液 方法 | ||
1.一种用于显现半导体芯片PN结的溶液,其特征在于,该溶液由氢氟酸、氟化铵、硝酸和水组成。
2.如权利要求1所述的溶液,其特征在于,氢氟酸的质量分数比为1.7%-1.9%,氟化铵的质量分数比为6.9%-7.7%,硝酸的质量分数比为47.0%-53.0%,水的质量分数比为38.4%-44.4%。
3.如权利要求2所述的溶液,其特征在于,氢氟酸的质量分数比为1.8%,氟化铵的质量分数比为7.3%,硝酸的质量分数比为50.0%,水的质量分数比为40.9%。
4.一种使用权利要求1或2或3所述的溶液显现半导体芯片PN结的方法,其特征在于,该方法包括:
将所述溶液加热到设定温度;
将半导体芯片在加热后的所述溶液中浸泡设定时间,以使半导体芯片的N型结显现出来。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述设定温度在50-60摄氏度中取值。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述设定温度为55度。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述设定时间在10-20秒中取值。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述设定时间为15秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造