[发明专利]溅射腔室、预清洗腔室以及等离子体加工设备

权利要求书

1.一种溅射腔室，包括腔体、靶、基座以及电感线圈，所述靶设置在所述腔体顶端并与电源连接，所述基座设置在所述腔体底部，其特征在于，所述电感线圈设置在所述腔体的外侧。

2.根据权利要求1所述的溅射腔室，其特征在于，所述腔体包括叠置的绝缘子腔体和第一导电子腔体，且所述绝缘子腔体位于所述第一导电子腔体的上方，所述电感线圈设置在所述绝缘子腔体的外侧。

3.根据权利要求2所述的溅射腔室，其特征在于，在所述绝缘子腔体的内侧设有法拉第屏蔽件，所述法拉第屏蔽件由金属材料制成或者由表面镀有导电材料的绝缘材料制成。

4.根据权利要求3所述的溅射腔室，其特征在于，在所述腔体的轴向方向，所述法拉第屏蔽件的长度小于所述绝缘子腔体的长度。

5.根据权利要求3所述的溅射腔室，其特征在于，所述法拉第屏蔽件在其轴向方向设有至少一个开缝。

6.根据权利要求5所述的溅射腔室，其特征在于，在所述开缝内填充有绝缘材料。

7.根据权利要求3所述的溅射腔室，其特征在于，所述绝缘子腔体的底端设有朝向绝缘子腔体中心轴凸出的凸缘，所述法拉第屏蔽件的底端放置在所述凸缘上。

8.根据权利要求7所述的溅射腔室，其特征在于，还包括用于遮挡所述法拉第屏蔽件的底端与所述绝缘子腔体接缝处的第一遮挡部件，所述第一遮挡部件包括连接部和延伸部，所述连接部搭接在所述凸缘上，所述延伸部朝向所述第一导电子腔体延伸。

9.根据权利要求3所述的溅射腔室，其特征在于，在所述靶与所述腔体之间设有第二遮挡部，所述第二遮挡部件包括连接部和延伸部，所述连接部设置在所述腔体与所述靶之间，所述延伸部朝向所述绝缘子腔体延伸且所述延伸部的底端低于所述法拉第屏蔽件的顶端。

10.根据权利要求3所述的溅射腔室，其特征在于，所述腔体还包括第二导电子腔体，所述第二导电子腔体叠置在所述绝缘子腔体的上方且接地，在所述第二导电子腔体与所述靶之间设有隔离部件。

11.根据权利要求1所述的溅射腔室，其特征在于，在所述腔体的外侧设有由导电材料制成且接地的线圈保护罩，所述线圈保护罩用于屏蔽所述电感线圈所产生的电磁场。

12.一种预清洗腔室，包括腔体、顶盖、基座以及电感线圈，所述顶盖设置在所述腔体顶端，所述基座设置在所述腔体底部，其特征在于，所述电感线圈设置在所述腔体的外侧。

13.根据权利要求12所述的预清洗腔室，其特征在于，所述腔体包括叠置的绝缘子腔体和第一导电子腔体，且所述绝缘子腔体位于所述第一导电子腔体的上方，所述电感线圈设置在所述绝缘子腔体的外侧。

14.根据权利要求13所述的预清洗腔室，其特征在于，在所述绝缘子腔体的内侧设有法拉第屏蔽件，所述法拉第屏蔽件由金属材料制成或者由表面镀有导电材料的绝缘材料制成。

15.根据权利要求14所述的预清洗腔室，其特征在于，在所述腔体的轴向方向，所述法拉第屏蔽件的长度小于所述绝缘子腔体的长度。

16.根据权利要求14所述的预清洗腔室，其特征在于，所述法拉第屏蔽件在其轴向方向设有至少一个开缝。

17.根据权利要求16所述的预清洗腔室，其特征在于，在所述开缝内填充有绝缘材料。

18.根据权利要求14所述的预清洗腔室，其特征在于，所述绝缘子腔体的底端设有朝向绝缘子腔体中心轴凸出的凸缘，所述法拉第屏蔽件的底端放置在所述凸缘上。

19.根据权利要求18所述的预清洗腔室，其特征在于，还包括用于遮挡所述法拉第屏蔽件的底端与所述绝缘子腔体接缝处的第一遮挡部件，所述第一遮挡部件包括连接部和延伸部，所述连接部搭接在所述凸缘上，所述延伸部朝向所述第一导电子腔体延伸。