[发明专利]一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备

权利要求书

1.一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备，包括连续式真空室、气路控制系统，电控系统、真空抽气系统、激光系统等，其特征在于

连续式真空室为三室，将进片、出片、掺杂三个工艺环节分离开来；

激光系统位于激光掺杂真空室正上方，可透过玻璃窗对晶硅片进行激光加热；

分段可独立无级调速的传动系统，适应各段工艺不同的传送速度。

2.如权利要求1所述的一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备，其特征在于，进片室中有加热装置，可对基片进行预加热。

3.如权利要求1所述的一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备，其特征在于激光掺杂真空室中有加热装置，在工艺过程中可保持基片的本底温度。

4.如权利要求1所述的一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备，其特征在于布气室位于激光掺杂真空室的正下方，实现均匀分布掺杂气体。

5.如权利要求1所述的一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备，其特征在于传动系统与载片小车间为磨擦式传输，保证传送速度平稳均匀。