[发明专利]一种高压交流LED晶片模块制作方法有效
| 申请号： | 201110100084.2 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751395A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;陈立人;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 | 申请（专利权）人： | 广东银雨芯片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 曾旻辉 |
| 地址： | 529700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 交流 led 晶片 模块 制作方法 | ||
1.一种高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；
(b)在步骤(a)的外延生长区生长出半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；
(c)去除步骤(a)的隔离墙形成隔离区，衬底表面通过隔离区形成多颗的LED晶粒；
(d)在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；
(e)在半导体层表面及隔离区沉积保护层；
(f)蚀刻步骤(e)的保护层形成P电极安装区及N电极安装区，在P电极安装区制作P电极，在N电极安装区制作N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块；
(g)将外延片切割、研磨、精抛光；
(h)采用裂片机将每块LED晶片模块进行裂片。
2.根据权利要求1所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：步骤(a)隔离墙的横截面宽度为5～40um，高度为0.1～5um。
3.根据权利要求1所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述步骤(a)隔离墙的横截面呈矩形状。
4.根据权利要求1所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述步骤(a)隔离墙的横截面呈梯形状，隔离墙的侧面与衬底的正面形成的夹角为50～70°。
5.根据权利要求4所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述隔离墙的侧面与衬底的正面形成的夹角为55～65°。
6.根据权利要求1所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述步骤(a)绝缘层的物质为SiO2或者Si3N4。
7.根据权利要求1所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述步骤(e)保护层的物质为SiO2或者Si3N4。
8.根据权利要求1所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述步骤(g)外延片的背面形成有反射层。
9.根据权利要求8所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述反射层为氧化物反射层或/和金属反射层。
10.根据权利要求9所述高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于：所述氧化物反射层的材料为SiO2、TiO2、Ti3O5、Nb2O5中的任一种，所述金属反射层的材料为Au、Al、Ag、Pt、Cr、Mo、W中的任一种或其组合。
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