[发明专利]双环结构微纳生物传感器及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110100110.1 申请日: 2011-04-21
公开(公告)号: CN102285623A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 苏保青;王春霞;阚强;李俊华;解意洋;王真真;陈弘达 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;G01N33/543
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 结构 生物 传感器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种双环结构的微纳生物传感器,包括:

一SOI基片,该SOI基片的顶层为顶层硅;

一双环结构,该双环结构形成于SOI基片的顶层硅上;

一输入波导和一输出波导,该输入波导和输出波导位于双环结构的两侧,并形成于SOI基片的顶层硅上;

一U型微流通道,该U型微流通道扣置键合在双环结构上。

2.根据权利要求1所述的双环结构的微纳生物传感器,其中所述的双环结构包括一大环和位于大环内一侧的小环。

3.根据权利要求2所述的双环结构的微纳生物传感器,其中所述的位于大环内的小环是位于输入波导和输出波导的中间。

4.根据权利要求2所述的双环结构的微纳生物传感器,其中所述的该输入波导和输出波导与大环之间有一间隙。

5.根据权利要求2所述的双环结构的微纳生物传感器,其中所述的大环小环之间有一间隙。

6.根据权利要求1所述的双环结构的微纳生物传感器,其中所述双环结构、输入波导和输出波导是采用条形波导结构。

7.一种双环结构的微纳生物传感器的制作方法,包括如下步骤:

步骤1:在SOI基片的顶层硅上旋涂光刻胶;

步骤2:通过深紫外曝光或电子束曝光进行波导图形定义;

步骤3:显影定影后通过ICP等离子体刻蚀技术在SOI基片的顶层硅上刻蚀出双环结构、输入波导和输出波导的传感器芯片;

步骤4:对传感器芯片解离抛光露出波导端面;

步骤5:将一制作好的U型微流通道扣置键合在双环结构上,该U型微流通道与输入波导和输出波导的方向垂直,完成微纳生物传感器的制作。

8.根据权利要求7所述的双环结构的微纳生物传感器的制作方法,其中所述的光刻胶为PMMA。

9.根据权利要求7所述的双环结构的微纳生物传感器的制作方法,其中所述的输入波导和输出波导位于双环结构的两侧。

10.根据权利要求7所述的双环结构的微纳生物传感器的制作方法,其中所述的U型微流通道键合在双环结构上的步骤:

1)对U型微流通道和双环结构的表面进行氧等离子体处理;

2)将U型微流通道与双环结构对准、键合。

11.根据权利10所述的双环结构的微纳生物传感器的制作方法,其中所述的对准、键合在30秒内。

12.根据权利7所述的双环结构的微纳生物传感器的制作方法,其中所述的双环结构包括一大环和位于大环内一侧的小环。

13.根据权利要求8所述的双环结构的微纳生物传感器的制作方法,其中所述的双环结构中的小环位于大环内的一侧,并位于输入波导和输出波导的中间,该小环、大环之间有一间隙,该输入波导和输出波导与大环之间有一间隙。

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