[发明专利]阻变存储器单元

权利要求书

1.一种阻变存储器单元，其特征在于，包括：

阻变存储器和双态电阻器，其中，所述阻变存储器串接所述双态电阻器，所述双态电阻器为具有双向非对称整流特性的选通器件。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器单元，其特征在于，所述阻变存储器具有单极性阻变特性，所述双态电阻器的第一电压极性下的最大阈值电压为V₁、第二电压极性下的最大阈值电压为V₃，所述阻变存储器的设置电压为V_set、重置电压为V_reset，其中，V_set＞|V₁|，V_reset＞|V₁|，|V₃|＞|V₁|。

3.根据权利要求1所述的阻变存储器单元，其特征在于，所述阻变存储器具有单极性阻变特性，所述双态电阻器的第一电压极性下的最大阈值电压为V₁、第二电压极性下的最大阈值电压为V₃，所述阻变存储器的重置电压为V_reset，当阻变存储器处于低阻态时，对阻变存储器单元加读电压为V_read，其中，|V₁|＜V_read＜V_reset，|V_read|＜|V₃|。

4.根据权利要求1所述的阻变存储器单元，其特征在于，所述阻变存储器具有双极性阻变特性，所述双态电阻器的第一电压极性下的最大阈值电压为V₁、第二电压极性下的最大阈值电压为V₃，所述阻变存储器的设置电压为V_set、重置电压为V_reset，其中，V_set＞|V₁|。

5.根据权利要求1所述的阻变存储器单元，其特征在于，所述阻变存储器具有双极性阻变特性，所述双态电阻器的第一电压极性下的最大阈值电压为V₁、第二电压极性下的最大阈值电压为V₃，所述阻变存储器的设置电压为V_set，当阻变存储器处于低阻态时，对阻变存储器单元加读电压为V_read，其中，|V₁|＜V_read＜V_set，|V_read|＜|V₃|。

6.一种阻变存储器单元，其特征在于，包括：

下电极；

下电极上的n型第一半导体层、n型第一半导体层上的p型第二半导体层以及p型第二半导体层上的n型第三半导体层；

n型第三半导体层上的共用电极；

共用电极上的阻变功能层；

阻变功能层上的上电极；

其中，所述下电极、n型第一半导体层、p型第二半导体层、n型第三半导体层以及中间电极组成双态电阻器，所述中间电极、阻变功能层和上电极组成阻态存储器，所述双态电阻器为具有双向非对称整流特性的选通器件。

7.根据权利要求6中所述的阻变存储器单元，其特征在于，所述n型第一半导体层、p型第二半导体层和n型第三半导体层包括：Si、Ge、GaAs、InP或SiGe。

8.一种阻变存储器单元，其特征在于，包括：

下电极；

下电极之上的阻变功能层；

阻变功能层上的共用电极；

共用电极上的n型第一半导体层、n型第一半导体层上的p型第二半导体层以及p型第二半导体层上的n型第三半导体层；

n型第三半导体层上的上电极；

其中，所述下电极、n型第一半导体层、p型第二半导体层、n型第三半导体层以及中间电极组成双态电阻器，所述中间电极、阻变功能层和上电极组成阻态存储器，所述双态电阻器为具有双向非对称整流特性的选通器件。

9.根据权利要求8所述的阻变存储器单元，其特征在于，所述n型第一半导体层、p型第二半导体层和n型第三半导体层包括：Si、Ge、GaAs、InP或SiGe。