[发明专利]一种基于负反馈的二阶带通滤波器

权利要求书

1.一种负反馈的二阶带通滤波器，其特征在于，采用PMOS管实现，该二阶带通滤波器包括第一PMOS管(M_3l)、第二PMOS管(M_3r)、第三PMOS管(M_2l)、第四PMOS管(M_2r)、第五PMOS管(M_1l)、第六PMOS管(M_1r)、第一电容(C_1l)、第二电容(C_2l)、第三电容(C_2r)、第四电容(C_1r)、第一电流源(I_b1)和第二电流源(I_b2)；其中，第一PMOS管(M_3l)的漏极接输出节点的负端(V_op)，第一PMOS管(M_3l)的栅极接输入节点的正端(V_ip)，第一PMOS管(M_3l)的源极接电源电压(VDD)；第二PMOS管(M_3r)的漏极接输出节点的正端(V_op)，第二PMOS管(M_3r)的栅极接输入节点的负端(V_in)，第二PMOS管(M_3r)的源极接电源电压(VDD)；第三PMOS管(M_2l)的栅极接输出节点的负端(V_on)，第三PMOS管(M_2l)的源极接电源电压(VDD)；第四PMOS管(M_2r)的栅极接输出节点的正端(V_op)，第四PMOS管(M_2r)的源极接电源电压(VDD)；第五PMOS管(M_1l)的漏极接地电压(GND)，第五PMOS管(M_1l)的源极接输出节点的负端(V_on)；第六PMOS管(M_1r)的漏极接地电压(GND)，第六PMOS管(M_1r)的源极接输出节点的正端(V_op)；第一电容(C_1l)的负极接地电压(GND)；第二电容(C_2l)的正极接输出节点的负端(V_on)，第二电容(C_2l)的负极接地电压(GND)；第三电容(C_2r)的正极接输出节点的正端(V_op)，第三电容(C_2r)的负极接地电压(GND)；第四电容(C_1r)的负极接地电压(GND)；第一电流源(I_b1)的正极、第三PMOS管(M_2l)的漏极、第五PMOS管(M_1l)的栅极和第一电容(C_1l)的正极连接在一起，第一电流源(I_b1)的负极接地电压(GND)；第二电流源(I_b2)的正极、第四PMOS管(M_2r)的漏极、第六PMOS管(M_1r)的栅极和第二电容(C_2l)的正极连接在一起，第二电流源(I_b2)的负极接地电压(GND)。

2.一种负反馈的二阶带通滤波器，其特征在于，采用NMOS管实现，该二阶带通滤波器包括第一NMOS管(M_3l)、第二NMOS管(M_3r)、第三NMOS管(M_2l)、第四NMOS管(M_2r)、第五NMOS管(M_1l)、第六NMOS管(M_1r)、第一电容(C_1l)、第二电容(C_2l)、第三电容(C_2r)、第四电容(C_1r)、第一电流源(I_b1)和第二电流源(I_b2)；其中，第一NMOS管(M_3l)的漏极接输出节点的负端(V_op)，第一NMOS管(M_3l)的栅极接输入节点的正端(V_ip)，第一NMOS管(M_3l)的源极接地电压(GND)；第二NMOS管(M_3r)的漏极接输出节点的正端(V_op)，第二NMOS管(M_3r)的栅极接输入节点的负端(V_in)，第二NMOS管(M_3r)的源极接地电压(GND)；第三NMOS管(M_2l)的栅极接输出节点的负端(V_on)，第三NMOS管(M_2l)的源极接地电压(GND)；第四NMOS管(M_2r)的栅极接输出节点的正端(V_op)，第四NMOS管(M_2r)的源极接地电压(GND)；第五NMOS管(M_1l)的漏极接电源电压(VDD)，第五NMOS管(M_1l)的源极接输出节点的负端(V_on)；第六NMOS管(M_1r)的漏极接电源电压(VDD)，第六NMOS管(M_1r)的源极接输出节点的正端(V_op)；第一电容(C_1l)的负极接电源电压(VDD)；第二电容(C_2l)的正极接输出节点的负端(V_on)，第二电容(C_2l)的负极接电源电压(VDD)；第三电容(C_2r)的正极接输出节点的正端(V_op)，第三电容(C_2r)的负极接电源电压(VDD)；第四电容(C_1r)的负极接电源电压(VDD)；第一电流源(I_b1)的正极、第三NMOS管(M_2l)的漏极、第五NMOS管(M_1l)的栅极和第一电容(C_1l)的正极连接在一起，第一电流源(I_b1)的负极接电源电压(VDD)；第二电流源(I_b2)的正极、第四NMOS管(M_2r)的漏极、第六NMOS管(M_1r)的栅极和第二电容(C_2l)的正极连接在一起，第二电流源(I_b2)的负极接电源电压(VDD)。