[发明专利]光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法有效
| 申请号： | 201110101343.3 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102219222A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 何寿林;罗全安 | 申请（专利权）人： | 武汉新硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 436070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光纤 高纯 氯化 连续 精馏 方法 | ||
1.光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤11)、将含SiCl4的重量百分数为80～95％的工业级SiCl4原料先进入脱轻组分塔中脱掉轻组分三氯氢硅和原料中存在的共沸物；
步骤12)、将步骤11)得到的塔釜采出物进入脱重组分塔，脱掉重组分；
步骤13)、将步骤12)得到的塔顶采出物采出即得光纤用普通级SiCl4产品，剩余的塔顶采出物继续进入减压精馏塔，进一步分离出难分离的轻组分，侧线采出光纤用高纯级SiCl4产品；所述的脱轻组分塔为常压操作塔，理论级为150，釜温为60～90℃，顶温为58～60℃，回流比为10～30∶1；所述的脱重组分塔为常压操作塔，理论级为150，釜温为60～80℃；顶温为57～58℃，回流比为10～30∶1；所述的减压精馏塔为减压塔，压力为0.095～0.098MP，理论级为100，釜温为45～65℃，顶温为35～50℃，回流比为10～20∶1。
2.根据权利要求1所述的光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法，其特征在于：所述步骤13)中减压精馏塔中的微量重组分返回脱轻组分塔中进行回收利用。
3.光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤31)、将含80～95％工业级SiCl4原料先进入脱重组分塔中脱掉重组分；
步骤32)、将步骤31)得到的塔顶采出物进入脱轻组分塔，脱掉轻组分三氯氢硅和原料中存在的共沸物；
步骤33)、将步骤32)得到的塔底采出物采出即得光纤用普通级SiCl4产品，剩余的塔底采出物继续进入减压精馏塔，进一步分离出难分离的轻组分，侧线采出光纤用高纯级SiCl4产品；所述的脱轻组分塔为常压操作塔，理论级为150，釜温为60～90℃，顶温为58～60℃，回流比为10～30∶1；所述的脱重组分塔为常压操作塔，理论级为150，釜温为60～80℃；顶温为57～58℃，回流比为10～30∶1；所述的减压精馏塔为减压塔，压力为0.095～0.098MP，理论级为100，釜温为45～65℃，顶温为35～50℃，回流比为10～20∶1。
4.根据权利要求3所述的光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法，其特征在于：所述步骤33)中减压精馏塔中的微量重组分返回脱重组分塔中进行回收利用。
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