[发明专利]半导体封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构制作方法，包括：

提供平板、第一导电层及第二导电层，其中该第一导电层配置在该平板上，该第二导电层配置在该第一导电层上，而该第二导电层与该第一导电层之间的结合强度小于该第一导电层与该平板之间的结合强度；

形成介电层在该平板及该第二导电层上；

形成线路结构在该介电层上；

安装至少一芯片至该线路结构；

安装支撑层至该线路结构，该支撑层为含有玻纤的树脂叠层，而该支撑层包覆该芯片；以及

通过施力解除该第一导电层与该第二导电层之间的结合，分离该第一导电层及该第二导电层。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构制作方法，其中该第一导电层通过树脂层固接至该平板。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构制作方法，其中该线路结构包括：

第一导电图案，配置在该介电层上；

至少一导电孔，配置于该介电层内，以连接该第二导电层及该第一导电图案；以及

第一防焊层，配置在该介电层上，并覆盖部分该第一导电图案。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构制作方法，还包括：

在分离该第一导电层及该第二导电层以后，图案化该第二导电层成为第二导电图案；以及

形成第二防焊层在该介电层上，其中该第二防焊层覆盖部分该第二导电图案。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构制作方法，还包括：

在形成该第二防焊层以后，以该多个芯片为单位切割该线路结构、该介电层、该第二导电图案及该第二防焊层。

6.如权利要求1所述的半导体封装结构制作方法，其中该芯片通过多个倒装凸块连接至该线路结构，而该支撑层的一部分填充于该芯片、该多个倒装凸块及该线路结构所围成的空间内。

7.如权利要求1所述的半导体封装结构制作方法，还包括：

在分离该第一导电层及该第二导电层以后，图案化该第二导电层成为第二导电图案；以及

形成第二防焊层在该介电层上，其中该第二防焊层覆盖部分该第二导电图案。

8.一种半导体封装结构，包括：

介电层；以及

第一导电图案；以及

第二导电图案，与该第一导电图案分别配置于该介电层的两面；

至少一导电孔，配置于该介电层内，以连接该第一导电图案及该第二导电图案；

第一防焊层，覆盖部分该第一导电图案；

第二防焊层，覆盖部分该第二导电图案；

芯片，安装至该第一导电图案；以及

支撑层，安装至该介电层，且包围该芯片，该支撑层为含有玻纤的树脂叠层，且该支撑层包覆该芯片。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括：

多个倒装凸块，位于该芯片与该第一导电图案之间，以将该芯片连接至该第一导电图案，其中该支撑层的一部分填充于该芯片、该多个倒装凸块及该线路结构所围成的空间内。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构，其中该介电层为不含玻纤的树脂层。