[发明专利]ZnO基发光器件的制备方法有效
| 申请号： | 201110101601.8 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102185049A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 丁萍;潘新花;黄靖云;叶志镇;吕斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | zno 发光 器件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.ZnO基发光器件的制备方法，该发光器件自下而上依次有衬底、n型ZnO层、ZnO基发光层和p型ZnO层，其制备方法包括以下步骤：
1）将清洗处理后的衬底放入分子束外延设备，衬底温度加热至300～800℃，调节生长室压力为1×10-5～6×10-5Torr，以经过射频活化的纯O2为O源，金属Zn源为反应源，金属Ga源为n型掺杂源，在衬底上生长n型ZnO层；
2）在生长有n型ZnO层的基片上，以经过射频活化的纯O2为O源，金属Zn源和金属Mg源为反应源，在300～800℃温度下，生长4-10个周期的ZnMgO/ZnO多量子阱层作为ZnO基发光层；
3）采用频率为1～5Hz、能量为200～400mJ的激光轰击掺Na的ZnO陶瓷靶，其中Na摩尔百分含量为0.5～1％，在400～700℃温度下生长p型ZnO层。
2.根据权利要求1所述的ZnO基发光器件的制备方法，其特征是所说的衬底是ZnO体单晶或蓝宝石或SiC。
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