[发明专利]一种反向结构聚合物太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种反向结构聚合物太阳电池，包括依次层叠的衬底(1)、透明导电金属氧化物电极层(2)、电子收集层(3)、光电活性层(4)、空穴收集层(5)和高功函阳极层(6)，其特征在于：所述电子收集层为二异丙氧基双(乙酰丙酮)合钛膜。

2.根据权利要求1所述的反向结构聚合物太阳电池，其特征在于：所述二异丙氧基双(乙酰丙酮)合钛膜的厚度为10-

3.根据权利要求1所述的反向结构聚合物太阳电池，其特征在于：

所述衬底选用玻璃或聚酯薄膜；

所述透明导电金属氧化物电极层为In、Sn、Zn、Cd的氧化物或其复合多元氧化物；

所述光电活性层为电子给体和电子受体共混膜；

所述空穴收集层为Mo、V、W、Ni的氧化物或其复合多元氧化物；

所述高功函阳极层为Al、Ag、Au或其复合电极。

4.根据权利要求3所述的反向结构聚合物太阳电池，其特征在于：所述光电活性层中，电子给体材料选自：聚(对亚苯基亚乙烯)类、聚(亚芳基亚乙烯基)类、聚(对亚苯基)类、聚(亚芳基)类、聚噻吩类、聚喹啉类、卟啉类、酞菁类或者选自由吸电子共轭单元与给电子共轭单元偶联组成的共聚物，电子受体材料选自：富勒烯或其衍生物、苝或其衍生物、萘或其衍生物、醌类或者选自III-V族和II-VI族半导体纳米晶。

5.根据权利要求4所述的反向结构聚合物太阳电池，其特征在于：所述吸电子共轭单元为吡咯并吡咯二酮(DPP)、苯并噻二唑(BT)或者噻吩并吡咯二酮(TP)，所述给电子共轭单元为咔唑(Cz)、芴(F)、苯并二噻吩(BDT)或者二噻吩并苯(BDP)。

6.权利要求1至5所述的反向结构聚合物太阳电池的制备方法，包括如下步骤：

(1)在衬底上制备透明导电金属氧化物电极层；

(2)在透明导电金属氧化物电极层上旋涂上二异丙氧基双(乙酰丙酮)合钛与溶剂的混合溶液，经烘烤，得到电子收集层；

(3)在电子收集层上依次制备光电活性层、空穴收集层和高功函阳极层，得到所述反向结构聚合物太阳电池。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：在制备过程中，利用旋涂的转速来控制二异丙氧基双(乙酰丙酮)合钛膜的厚度，转速为1000-5000rpm。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：烘烤的温度为20-250℃，时间为1分钟到48小时。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤(2)中，混合溶液中二异丙氧基双(乙酰丙酮)合钛的浓度为2-10mg/mL。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述二异丙氧基双(乙酰丙酮)合钛溶液的溶剂为异丙醇、异辛醇、乙醇、乙酸乙酯或石油醚中的任意一种或它们的组合。