[发明专利]发光器件的制造方法无效
申请号: | 201110101866.8 | 申请日: | 2006-03-23 |
公开(公告)号: | CN102290535A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 岩城裕司;瀬尾哲史;熊木大介;中島晴惠;小島久味 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H05B33/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 制造 方法 | ||
1.一种发光器件的制造方法,它包括如下步骤:
沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室,从而使该基材通过一蒸发护罩的上方,该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔;
加热位于该蒸发护罩下方蒸发源中的一种蒸发物质,从而在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时使该蒸发物质从该蒸发护罩的所述开孔中逸出,在所述基材上形成一层含该蒸发物质的发光层;
在形成所述发光层的过程中加热该蒸发护罩;
所述开孔具有细长的形状,其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
2.一种发光器件的制造方法,它包括如下步骤:
沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室,从而使该基材通过一蒸发护罩的上方,该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔,沿与所述传递方向垂直的第二方向,该蒸发护罩具有一宽度;
加热位于该蒸发护罩下方蒸发源中的一种蒸发物质,从而在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时使该蒸发物质从该蒸发护罩的所述开孔中逸出,在所述基材上形成一层含该蒸发物质的发光层;
在形成所述发光层的过程中加热该蒸发护罩;
该蒸发护罩沿所述第二方向具有一宽度,该蒸发护罩的宽度大于所述基材的宽度。
3.一种发光器件的制造方法,它包括如下步骤:
沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室,从而使该基材通过一蒸发护罩的上方,该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔,沿与所述传递方向垂直的第二方向,该蒸发护罩具有一宽度;
加热位于该蒸发护罩下方蒸发源中的一种蒸发物质,从而在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时使该蒸发物质从该蒸发护罩的所述开孔中逸出,在所述基材上形成一层含该蒸发物质的发光层;
在形成所述发光层的过程中加热该蒸发护罩;
在形成所述发光层的过程中沿所述第二方向移动所述蒸发源;
该蒸发护罩沿所述第二方向具有一宽度,该蒸发护罩的宽度大于所述基材的宽度。
4.一种发光器件的制造方法,它包括如下步骤:
沿传递方向输送一基材,从而使该基材通过一个第一蒸发护罩和一个第二蒸发护罩的上方,所述第一蒸发护罩的上部具有至少一个开孔,所述第二蒸发护罩的上部具有至少一个开孔;
加热位于所述第一蒸发护罩下方第一蒸发源中的一种第一蒸发物质,从而在将该基材输送通过所述第一蒸发护罩上方的同时使该第一蒸发物质从该第一蒸发护罩的所述开孔中逸出,在所述基材上形成一层含所述第一蒸发物质的第一层;
在形成所述第一层的过程中加热该第一蒸发护罩;
加热位于所述第二蒸发护罩下方第二蒸发源中的一种第二蒸发物质,从而在将该基材输送通过所述第二蒸发护罩上方的同时使该第二蒸发物质从该第二蒸发护罩的所述开孔中逸出,在所述第一层上形成一层含所述第二蒸发物质的第二层;
在形成所述第二层的过程中加热该第二蒸发护罩;
所述第一层和所述第二层中的一层是一层发光层;
所述第一蒸发护罩和所述第二蒸发护罩的所述开孔各自具有细长的形状,其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
5.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于加热所述蒸发护罩的步骤受一计算机控制。
6.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于所述薄膜形成室通过一个门与一个沉降室相连,从而在将带有蒸发物质的蒸发源置于所述沉降室中时,无需使该薄膜形成室内部的压力为大气压力。
7.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于所述加热蒸发源的步骤是由电阻加热实现的。
8.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于所述蒸发护罩的上部具有多个开孔。
9.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于所述蒸发源是由多个坩埚形成的。
10.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于所述蒸发材料通过蒸发护罩的所述开孔升华。
11.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于所述蒸发材料包括有机发光材料。
12.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于所述发光器件是一个光源。
13.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其特征在于所述发光器件是一个图像显示器。
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