[发明专利]镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件

权利要求书

1.一种用于制造镶嵌陶瓷元件(10)的方法(21)，该方法包括以下步骤：

a)形成(22)陶瓷体部(11)；

b)在陶瓷体部(11)的一个面(F)中蚀刻(23)至少一个凹部(12)，所述至少一个凹部中的每一个形成用于装饰物(13)的造型；

c)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(24、25)大约50nm的第一层(14)，

d)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(26)大约50nm的第二导电层(15)，以便覆盖第一层(14)；

e)从所述第二导电层(15)流电沉积(27)金属材料(16)，以便完全填充所述至少一个凹部；

f)除了所述至少一个凹部的空腔之外，从陶瓷体部(11)的表面去除(28)所有沉积物(14、15、16)。

2.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤a)通过烧结实现。

3.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，陶瓷体部(11)基于氧化锆。

4.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤b)通过激光执行。

5.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，所述至少一个凹部(12)中的每一个包括不具有棱边的内表面，以便有助于实施步骤e)。

6.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤c)通过无电镀实现。

7.根据权利要求6的方法(21)，其特征在于，第一层(14)包含镍-磷。

8.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤c)通过气相沉积实现。

9.根据权利要求8的方法(21)，其特征在于，第一层(14)是Cr、Cr2N、TiN、TiW、Ni、NiP、Cu、Ti或Zr层。

10.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，步骤d)通过气相沉积实现。

11.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，第二导电层(15)包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍，以便优化第二导电层的附着性和良好导电性，以及提供接近于流电镀层(16)的颜色。

12.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，在步骤e)期间沉积的金属材料(16)包含金和/或铜和/或银和/或铟和/或铂和/或钯和/或镍。

13.根据权利要求1的方法(21)，其特征在于，该方法包括用于沉积(29)基本透明的层(18)的最终步骤g)，以保护装饰物(13)免于老化。

14.根据权利要求13的方法(21)，其特征在于，保护层(18)包含氮化硅。