[发明专利]一种或非型闪存的数据擦除方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的数据处理领域，特别涉及一种或非型闪存的数据擦除方法。

背景技术

一般而言，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器件(nonvolatile memory)，易失性存储器在电源中断时易于丢失数据，而非易失性存储器件在电源关闭后仍可及时保存存储器内部信息，而且非易失性存储器件具有成本低、密度大等特点，使得非易失性存储器件广泛应用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表，同时还包括语音、图像、数据存储类产品，如数码相机、数码录音机等。非易失性存储器件包含有与非(NAND)及或非(NOR)型闪存(Flash Memory)类型；其中与非型闪存存储容量较大，但读写速度较慢，而或非型闪存则速度较快。

作为典型的一种非易失性闪存存储器件——或非型闪存，在进行擦除操作时，一般是将超过常规工作电压的高电压(10～15V，例如由电荷泵产生高电压)施加到存储器中所选的存储单元的字线上，并且将0电压施加到所选的存储单元的位线和源极及衬底。然后，福勒-诺德汉(Fowler-Nordheim，FN)隧穿效应使得已经存储在浮置栅极中的电子在隧道氧化层两端之间的电压作用下移动到半导体衬底，从而改变单元的阈值电压。

上述这种数据擦除方法主要以块或扇区为单位来进行的，而且是所有的块或扇区都采用同一电压进行。由于不同块或扇区的特性差异，特别是某些块或扇区包含有个别差异较大的存储单元，其要求的擦除电压较高，则整个或非型闪存便采用较高的擦除电压来进行数据擦出，以期获得比较好的擦除效果。但由于电压太高而使或非型闪存发生可靠性问题。中国专利98120199.7介绍了一种通过改变存储单元的结构来使降低所需的擦除电压，但这种方法仍然会造成上述这种现象。

因此，如何解决擦除电压过高引起的可靠性问题是需要解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种或非型闪存的数据擦除方法，解决现有擦除方法中因高擦除电压造成存储单元发生循环缺陷的问题，从而提高存储器件的可靠性。

为解决上述问题，本发明采用如下技术方案：一种或非型闪存的数据擦除方法，所述或非型闪存包括多个存储块，每个存储块包含多个扇区，每个扇区包含有标识单元和数据单元，所述擦除方法包括：1)获取每个扇区中标识单元中记录的默认电压值；2)将与默认电压值相同的擦除电压施加到相应的扇区上对数据单元进行擦除操作；3)将校验电压施加于所述扇区，验证所述扇区是否擦除成功，若擦除成功，则执行步骤4)，若擦除不成功，则执行步骤5)；4)检测擦除电压是否与默认电压相等，若相等，则结束擦除过程，若不相等，则修改默认电压，使之与擦除电压相等，并记录修改次数，然后结束擦除过程；5)检测修改次数是否达到上限，若否，修改擦除电压，并执行步骤2)，若是，则结束擦除过程，并判定擦除失败。

可选的，所述步骤5)中修改擦除电压的方法是以0.1～1伏的阶跃电压为步长增加擦除电压。

可选的，增加擦除电压采用均匀阶跃电压步长。

可选的，增加擦除电压采用非均匀阶跃电压步长。

可选的，所述标识单元记录有所在扇区的默认电压和修改次数。

可选的，所述擦除操作针对每个扇区独立进行。

可选的，所述扇区的大小为512字节。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明实施例通过获取每个扇区中标识单元中记录的默认电压值；并采用与各扇区默认电压值相同的擦除电压施加到相应的扇区上对数据单元进行擦除操作，由于初始擦除电压采用扇区的默认电压，如若无法擦除成功，再采用逐渐增加的电压进行擦除，因此，可以尽可能避免因使用过高的电压擦除数据对扇区造成循环缺陷，从而提高存储器件的可靠性。

进一步，由于擦除操作是针对每个扇区独立进行的，避免了由于不同块或扇区的特性差异，采用同一擦除电压而造成的擦除效果差的问题。

附图说明

图1是一种或非型闪存的结构示意图；

图2是本发明数据擦除方法具体实施方式流程示意图。

具体实施方式