[发明专利]自对准多晶硅化物工艺方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201110103325.9 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102194741A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 肖海波;时廷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 多晶 硅化物 工艺 方法 半导体器件 | ||
1.一种自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于包括：
硅化物沉积步骤，用于在半导体衬底上沉积硅化物；
阻止层沉积步骤，用于沉积阻止层；
自对准刻蚀步骤，用于对所述阻止层沉积步骤之后得到的结构进行自对准刻蚀；软蚀刻步骤；以及
湿法清洗步骤，用于利用刻蚀溶液进行湿法清洗，
其中自对准刻蚀步骤之后的软蚀刻步骤对半导体器件进行刻蚀，湿法清洗步骤用非常稀浓度的酸，以在硅衬底中形成一个刻蚀凹部，而对浅沟槽隔离的氧化硅没有损伤。
2.根据权利要求1所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中所述硅化物是正磷硅玻璃膜。
3.根据权利要求1或2所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中湿法清洗步骤采用的刻蚀溶液的浓度被稀释。
4.根据权利要求1或2所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中所述湿法清洗步骤采用的刻蚀溶液为氟化氢溶液。
5.根据权利要求1或2所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中所述自对准多晶硅化物工艺方法被用于制造互补型金属氧化物半导体。
6.根据权利要求1或2所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中所述自对准多晶硅化物工艺方法被用于制造静态随机存储器。
7.根据权利要求1或2所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中所述阻止层为氮化硅层。
8.根据权利要求1或2所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中在所述硅化物沉积步骤之后执行化学机械研磨。
9.根据权利要求1或2所述的自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于，其中所述湿法清洗步骤所采用的酸的浓度介于50ppm到800ppm之间。
10.一种采用权利要求1至9之一所述的自对准多晶硅化物工艺方法制成的半导体器件。
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