[发明专利]提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法有效
| 申请号： | 201110103503.8 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102184868A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰;楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 沟槽 顶角 可靠性 方法 | ||
1.一种提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底为硅基衬底；
硬掩膜的制备，所述硬掩膜具有氮化物层，且在所述氮化物层与半导体衬底之间形成氧化物层；
沟槽的制备，利用所述硬掩膜为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；
缺口的制备，蚀刻位于半导体衬底与氮化物层之间的氧化物层，以在所述沟槽顶端外沿形成缺口；
牺牲氧化物的制备，以使沟槽栅顶角处形成坡形结构；
剥离牺牲氧化物，并进行栅氧生长，以及多晶硅填充。
2.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述氮化物为氮化硅。
3.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述缺口的刻蚀采用HF溶液。
4.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述缺口沿沟槽顶端外沿向异于沟槽的方向延伸，且所述缺口的横向长度为1倍硬掩膜层厚度到1.5倍硬掩膜层厚度之间的任一值。
5.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述牺牲氧化物是通过低温湿式氧化法制备。
6.如权利要求5所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述低温为为950～1000℃。
7.如权利要求1所述的提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述沟槽栅顶角处的牺牲氧化物为锥形结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
