[发明专利]一种多晶硅锭与托盘的粘接方法

说明书

技术领域

本发明属于光伏技术领域，尤其涉及一种多晶硅锭与托盘的粘接方法。

背景技术

在多晶硅线开方技术中，切割多晶硅锭之前需要先将多晶硅锭粘接到托盘上。

图1为粘锭用的托盘的结构示意图。如图1所示，托盘1上带有托盘槽101。目前采用的粘锭方法是：采用泡沫剂作为粘接剂，先将泡沫剂均匀涂在托盘1上，然后将多晶硅锭放在涂好泡沫剂的托盘1上并移动到准确位置，等待3至4个小时，使泡沫剂固化。

现有技术的粘锭方法中，在托盘1上粘接一个多晶硅锭所需的泡沫剂的量较大，大约为500～750ml；且在切割多晶硅锭的过程中，钢线会切割到固化的泡沫剂产生泡沫屑，泡沫屑会进入浆料中，堵住过滤网和喷嘴，从而影响钢线上的载砂量，最终影响多晶硅锭开方的切割质量。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种多晶硅锭与托盘的粘接方法，以解决现有技术的粘接方法中泡沫剂的用量大，且后续切割多晶硅锭时产生泡沫屑的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种多晶硅锭与托盘的粘接方法，依次进行如下步骤：

步骤A：清洁粘锭用的托盘；

步骤B：将多晶硅锭放置于所述托盘上；

步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。

作为优选，所述步骤B进一步包括：

步骤B11：将泡沫剂涂在所述托盘上，并且使托盘槽处不带有泡沫剂；

步骤B12：将多晶硅锭放置于涂有泡沫剂的所述托盘上。

作为优选，所述步骤B进一步包括：

步骤B21：在所述托盘上铺一层能够被多晶硅锭的下表面完全覆盖的缓冲薄垫；

步骤B22：将所述多晶硅锭压在所述缓冲薄垫上。

作为优选，所述缓冲薄垫是塑料薄膜。

作为优选，所述步骤B22进一步包括：

步骤B221：将泡沫剂涂在所述缓冲薄垫上，并且使所述缓冲薄垫上对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂；

步骤B222：将所述多晶硅锭压在涂有泡沫剂的所述缓冲薄垫上。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

(1)由于仅在多晶硅锭底面边缘处喷涂用于粘接多晶硅锭和托盘的泡沫剂，大大减少了泡沫剂的用量；

(2)由于多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的位置没有喷涂泡沫剂，避免了切割多晶硅锭时泡沫屑的产生，从而保证了浆料里面的杂物尽可能少；

(3)由于多晶硅锭与托盘之间铺有缓冲薄垫，切割生成的晶砖通过缓冲薄垫支撑，避免了由于多晶硅锭底面不平整导致的晶砖跌落的情况出现，从而降低了钢线断线的可能性。

附图说明

图1为粘锭用的托盘的结构示意图。

图2为本发明的粘接方法的实施例一的流程示意图。

图3为采用实施例一的粘接方法粘锭的示意图。

图4为本发明的粘接方法的实施例二的流程示意图。

图5为本发明的粘接方法的实施例三的流程示意图。

图6为本发明的粘接方法的实施例四的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。

实施例一：

图2为本发明的粘接方法的实施例一的流程示意图。如图2所示，实施例一提供的多晶硅锭与托盘的粘接方法包括：

步骤A：清洁粘锭用的托盘；

步骤B：将多晶硅锭放置于所述托盘上；

步骤C：将泡沫剂涂在所述多晶硅锭底面边缘与所述托盘接触的地方，并且使所述多晶硅锭底面边缘对应于托盘槽的地方不带有泡沫剂。

图3为采用实施例一的粘接方法粘锭的示意图。如图3所示，采用实施例一提供的粘接方法粘锭时，首先清洁用于粘接多晶硅锭2的托盘1；然后将多晶硅锭2用龙门吊车吊起来放在托盘1上，并将多晶硅锭2移动到准确位置；最后在多晶硅锭2与托盘1的接触面的边缘喷涂泡沫剂3用于粘接多晶硅锭2和托盘1，并且使所述接触面的边缘对应托盘槽101的地方不带有泡沫剂3，以防止切割多晶硅锭2时泡沫剂3被钢线切割到产生泡沫屑。

由于只在多晶硅锭2与托盘1的接触面的边缘喷涂泡沫剂3，大大减少了泡沫剂3的用量，粘接一个多晶硅锭2的泡沫剂3的用量大约从500～750ml降低到250～300ml；此外，由于所述接触面上对应于托盘槽101的地方未喷涂泡沫剂3，避免了切割多晶硅锭2时泡沫屑的产生，从而保证了浆料里面的杂物尽可能少。

实施例二：