[发明专利]无线芯片以及具有无线芯片的电子设备有效

专利信息
申请号: 201110104531.1 申请日: 2006-03-23
公开(公告)号: CN102270315A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 铃木幸惠;荒井康行;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;H01Q1/22;H01Q9/04;H01Q23/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;高为
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 无线 芯片 以及 具有 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

第一导电层;

第二导电层;

设置在第一导电层和第二导电层之间的介电层;

设置在介电层中的通孔;

设置在通孔中的第三导电层;

包括场效应晶体管的芯片;以及

电连接到芯片的第四导电层,

其中第四导电层电连接到第二导电层,并且

其中第三导电层连接到第一导电层。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中第四导电层包括凸起、导电胶、抗扭曲导电粘接剂或者抗扭曲导电膜。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中场效应晶体管包括n型单晶硅衬底、p型单晶硅衬底、GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底、ZnSe衬底或SOI衬底。

4.如权利要求1所述的半导体器件,其中第二导电层和芯片的连接部分填充有底部填料。

5.如权利要求4所述的半导体器件,其中底部填料包括环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。

6.如权利要求1所述的半导体器件,其中半导体器件包括高频电路。

7.如权利要求1所述的半导体器件,其中介电层包括选自氧化铝、玻璃、镁橄榄石、钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶、锆酸铅、铌酸锂和钛酸锆铅的一种或多种材料。

8.如权利要求1所述的半导体器件,其中介电层包括选自环氧树脂、酚树脂、聚丁二烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、乙烯基苄基和聚富马酸的一种或多种材料。

9.如权利要求1所述的半导体器件,所述半导体器件被包括在电子设备中。

10.如权利要求9所述的电子设备,其中电子设备是液晶显示设备、EL显示设备、电视机设备、移动电话、打印机、照相机、个人计算机、具有耳机的护目镜、扬声器设备、头戴式耳机、导航设备或电子钥匙。

11.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

布线基板;以及

传感器装置,

其中布线基板设置在第二导电层和第四导电层之间,并且

其中传感器装置安装在布线基板上。

12.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

布线基板;以及

电池,

其中布线基板设置在第二导电层和第四导电层之间,并且

其中电池安装在布线基板上。

13.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

布线基板;

电池;以及

传感器装置,

其中布线基板设置在第二导电层和第四导电层之间,并且

其中电池和传感器装置安装在布线基板上。

14.一种半导体器件,包括:

配置成用作辐射电极的第一导电层;

配置成用作地接触体的第二导电层;

设置在第一导电层和第二导电层之间的介电层;

设置在介电层中的通孔;

配置成为第一导电层供电的第三导电层;

包括场效应晶体管的芯片;以及

电连接到芯片的第四导电层,

其中第四导电层电连接到第二导电层,并且

其中第三导电层设置在通孔中并且连接到第一导电层。

15.如权利要求14所述的半导体器件,其中第四导电层包括凸起、导电胶、抗扭曲导电粘接剂或者抗扭曲导电膜。

16.如权利要求14所述的半导体器件,其中场效应晶体管包括n型单晶硅衬底、p型单晶硅衬底、GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底、ZnSe衬底或SOI衬底。

17.如权利要求14所述的半导体器件,其中第二导电层和芯片的连接部分填充有底部填料。

18.如权利要求17所述的半导体器件,其中底部填料包括环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。

19.如权利要求14所述的半导体器件,其中半导体器件包括高频电路。

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