[发明专利]无线芯片以及具有无线芯片的电子设备有效
申请号: | 201110104531.1 | 申请日: | 2006-03-23 |
公开(公告)号: | CN102270315A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 铃木幸惠;荒井康行;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;H01Q1/22;H01Q9/04;H01Q23/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐予红;高为 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无线 芯片 以及 具有 电子设备 | ||
1.一种半导体器件,包括:
第一导电层;
第二导电层;
设置在第一导电层和第二导电层之间的介电层;
设置在介电层中的通孔;
设置在通孔中的第三导电层;
包括场效应晶体管的芯片;以及
电连接到芯片的第四导电层,
其中第四导电层电连接到第二导电层,并且
其中第三导电层连接到第一导电层。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其中第四导电层包括凸起、导电胶、抗扭曲导电粘接剂或者抗扭曲导电膜。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其中场效应晶体管包括n型单晶硅衬底、p型单晶硅衬底、GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底、ZnSe衬底或SOI衬底。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其中第二导电层和芯片的连接部分填充有底部填料。
5.如权利要求4所述的半导体器件,其中底部填料包括环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。
6.如权利要求1所述的半导体器件,其中半导体器件包括高频电路。
7.如权利要求1所述的半导体器件,其中介电层包括选自氧化铝、玻璃、镁橄榄石、钛酸钡、钛酸铅、钛酸锶、锆酸铅、铌酸锂和钛酸锆铅的一种或多种材料。
8.如权利要求1所述的半导体器件,其中介电层包括选自环氧树脂、酚树脂、聚丁二烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、乙烯基苄基和聚富马酸的一种或多种材料。
9.如权利要求1所述的半导体器件,所述半导体器件被包括在电子设备中。
10.如权利要求9所述的电子设备,其中电子设备是液晶显示设备、EL显示设备、电视机设备、移动电话、打印机、照相机、个人计算机、具有耳机的护目镜、扬声器设备、头戴式耳机、导航设备或电子钥匙。
11.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:
布线基板;以及
传感器装置,
其中布线基板设置在第二导电层和第四导电层之间,并且
其中传感器装置安装在布线基板上。
12.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:
布线基板;以及
电池,
其中布线基板设置在第二导电层和第四导电层之间,并且
其中电池安装在布线基板上。
13.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:
布线基板;
电池;以及
传感器装置,
其中布线基板设置在第二导电层和第四导电层之间,并且
其中电池和传感器装置安装在布线基板上。
14.一种半导体器件,包括:
配置成用作辐射电极的第一导电层;
配置成用作地接触体的第二导电层;
设置在第一导电层和第二导电层之间的介电层;
设置在介电层中的通孔;
配置成为第一导电层供电的第三导电层;
包括场效应晶体管的芯片;以及
电连接到芯片的第四导电层,
其中第四导电层电连接到第二导电层,并且
其中第三导电层设置在通孔中并且连接到第一导电层。
15.如权利要求14所述的半导体器件,其中第四导电层包括凸起、导电胶、抗扭曲导电粘接剂或者抗扭曲导电膜。
16.如权利要求14所述的半导体器件,其中场效应晶体管包括n型单晶硅衬底、p型单晶硅衬底、GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底、ZnSe衬底或SOI衬底。
17.如权利要求14所述的半导体器件,其中第二导电层和芯片的连接部分填充有底部填料。
18.如权利要求17所述的半导体器件,其中底部填料包括环氧树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。
19.如权利要求14所述的半导体器件,其中半导体器件包括高频电路。
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