[发明专利]进阶式四方扁平无引脚封装结构及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201110104554.2 申请日: 2011-04-26
公开(公告)号: CN102184908A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 廖国成;陈家庆;丁一权;黄东鸿;蔡宗岳 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 进阶 四方 扁平 引脚 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种进阶式四方扁平无引脚封装结构,包括:

载体,具有一芯片座、多个环绕该芯片座配置的引脚及多个第一凹槽部,其中各该引脚具有彼此相对的一内表面与一外表面,该些第一凹槽部分别位于该些引脚的该些外表面上;

芯片,配置于该载体的该芯片座上;

多条焊线,配置于该芯片与该些引脚之间;以及

封装胶体,包覆该芯片、该些焊线与该些引脚的该些内表面,并暴露出该些外表面与该些第一凹槽部。

2.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构,其中各该引脚具有一配置邻近于该内表面的上部以及一配置邻近该外表面的下部,该封装胶体实质上覆盖该些引脚的该些上部,且该些引脚的该些下部至少部分从该封装胶体的一下表面向外延伸。

3.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构,还包括:

第一金属镀层,配置于该些引脚的该些外表面与该芯片座的一底表面上,其中该第一金属镀层与该些第一凹槽部共形设置;以及

第二金属镀层,配置于该些引脚的该些内表面上。

4.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构,还包括:

多个第一焊料球,分别配置于该些第一凹槽部上。

5.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构,其中该载体还包括多个第二凹槽部,且该些第二凹槽部分别位于该些引脚的该些内表面上。

6.如权利要求5所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构,还包括:

多个第二焊料球,分别配置于该些第二凹槽部上。

7.如权利要求6所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构,其中至少一该些焊线与至少一该些第二焊料球配置于同一该引脚的该内表面上。

8.如权利要求7所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构,其中同一该引脚的该内表面具有一凹口,且该焊线与该第二焊料球分别位于该凹口的相对两侧的该内表面上。

9.一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法,包括:

提供一载体,该载体具有彼此相对的一第一表面与一第二表面、位于该第二表面上的至少一凹穴与多个凹口以及多个位于该第一表面上的第一凹槽部,其中该些凹口之间定义出多个内引脚部,且该些内引脚部环绕该凹穴配置;

分别形成一第一金属镀层及一第二金属镀层于该载体的该第一表面与该第二表面上,其中该第一金属镀层与该些第一凹槽部共形设置;

配置至少一芯片于该载体的该凹穴中,其中该芯片通过多条焊线电连接至该些内引脚部;

形成一封装胶体于该载体上,以覆盖该芯片、该些焊线、该第二金属镀层与该些内引脚部,并填充于该凹穴以及该些凹口;以及

对该第一金属镀层之外的该载体的该第一表面进行一蚀刻制作工艺,以蚀穿该载体至填充于该些凹口内的该封装胶体暴露为止,以便形成多个引脚、至少一芯片座与多个开口。

10.如权利要求9所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法,其中形成该载体的该些第一凹槽部的步骤,包括:

涂布一第一光致抗蚀剂层于该载体的该第一表面上;

对该第一光致抗蚀剂层进行一曝光步骤与一显影步骤,以于该载体的该第一表面上形成一第一图案化光致抗蚀剂层,其中该第一图案化光致抗蚀剂层暴露出部分该第一表面;

蚀刻该第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第一表面,以形成该些第一凹槽部;以及

移除该第一图案化光致抗蚀剂层。

11.如权利要求10所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法,还包括:

涂布该第一光致抗蚀剂层于该载体的该第一表面上时,同时涂布一第二光致抗蚀剂层于该载体的该第二表面上;

对该第一光致抗蚀剂层进行该曝光步骤与该显影步骤时,同时对该第二光致抗蚀剂层进行该曝光步骤与该显影步骤,以于该载体的该第二表面上形成一第二图案化光致抗蚀剂层,其中该第二图案化光致抗蚀剂层暴露出部分该第二表面;

蚀刻该第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第一表面时,同时蚀刻该第二图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第二表面,以形成多个第二凹槽部;

移除该第一图案化光致抗蚀剂层时,同时移除该第二图案化光致抗蚀剂层;以及

形成该第二金属镀层于该载体的该第二表面上时,该第二金属镀层与该些第二凹槽部共形设置。

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