[发明专利]制造垂直发光器件的方法及用于该发光器件的衬底组件

权利要求书

1.一种制造发光器件的方法，包括：

制备在顶面具有交替形成的多个凹陷和多个外延生长部分的衬底；

在该衬底的顶面上沉积外延层以覆盖但不完全填满所述凹陷，从而在凹陷处形成空隙；

在该外延层上形成发光二极管结构；

将该发光二极管结构附着在一衬顶上；以及

从该外延层上分离该衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述凹陷形成为平行凹槽或网状凹槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述凹陷的横截面宽度在0.5-5微米之间的范围内，并且深度在1-10微米之间的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延生长部分的每一个具有外延生长表面，该外延层从该外延生长表面开始外延生长，并且该外延生长表面的横截面宽度在1-10微米之间的范围内。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述外延生长表面选自c平面、m平面、A平面和R平面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中采用激光分离法执行所述分离步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中采用蚀刻法执行所述分离步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述外延层上形成透明导电层和接触电极来替代该衬底。

9.一种衬底组件，用于在其上生长发光二极管结构，该衬底组件包括：

在顶面具有交替形成的多个凹陷和多个外延生长部分的衬底；以及

在该衬底的顶面上形成的外延层，

其中该外延层覆盖但不完全填满所述凹陷，从而在凹陷中形成空隙。

10.根据权利要求9所述的衬底组件，其中所述外延生长部分的每一个包括外延生长表面，该外延层从该外延生长表面开始外延生长，并且该外延生长表面的横截面宽度在1-10微米之间的范围内。

11.根据权利要求9所述的衬底组件，其中所述凹陷形成为平行凹槽或网状凹槽。

12.根据权利要求9所述的衬底组件，其中所述凹陷的横截面宽度在0.5-5微米之间的范围内，并且深度在1-10微米之间的范围内。

13.根据权利要求9所述的衬底组件，其中所述空隙的占空比在1％-20％之间的范围内。

14.根据权利要求11所述的衬底组件，其中所述空隙的至少一部分彼此及与外界均流体连通。

15.根据权利要求9所述的衬底组件，其中所述空隙的横截面大小在0.5到5微米之间的范围内。

16.根据权利要求9所述的衬底组件，其中所述衬底由硅、蓝宝石、砷化镓、碳化硅或尖晶石制成。

17.根据权利要求9所述的衬底组件，其中所述衬底包括一材料层，在该材料层中形成所述凹陷，并且在该材料层上形成该外延层。

18.根据权利要求16所述的衬底组件，其中所述材料层可由氮化硅，氧化硅，氧化钛中选取。