[发明专利]金属硅化物桥连测试结构、形成方法和测试方法

权利要求书

1.一种金属硅化物桥连测试结构，该结构包括：

位于半导体衬底内的第一、二、三、四有源区，所述第一、二、三、四有源区均以隔离区彼此相隔、

位于半导体衬底之上的栅极结构，所述栅极结构与所述第一、二、三、四有源区均存在重叠部分、

位于半导体衬底之上、且分别位于栅极结构前、后、左、右侧的第一、二、三、四侧壁层，每相邻侧壁层均未相连、

覆盖在所述第一、二、三、四有源区之上的金属硅化物，以及覆盖在所述栅极结构之上的金属硅化物、

分别与所述第一、二、三、四有源区的金属硅化物相连的第一、二、三、四金属线，所述第一、二、三、四金属线末端分别连接有第一、二、三、四衬垫。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅极以及栅极下方的栅氧化层。

3.一种金属硅化物桥连测试结构形成方法，该方法包括：

提供一半导体衬底，在半导体衬底内定义第一、二、三、四有源区和隔离区，所述第一、二、三、四有源区均以所述隔离区彼此相隔；

在半导体衬底之上形成栅极结构，所述栅极结构与所述第一、二、三、四有源区均存在重叠部分；

在半导体衬底之上形成第一、二、三、四侧壁层，所述第一、二、三、四侧壁层分别位于所述栅极结构前、后、左、右侧，并对第一、二、三、四侧壁层进行刻蚀，使得每相邻侧壁层均未相连；

形成金属硅化物，所述金属硅化物覆盖在所述第一、二、三、四有源区之上，以及覆盖在所述栅极结构之上；

分别在所述第一、二、三、四有源区的金属硅化物之上连接第一、二、三、四金属线，所述第一、二、三、四金属线末端分别连接第一、二、三、四衬垫。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：

在半导体衬底之上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层之上形成栅极。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物的形成方法包括：

沉积金属；

进行快速退火处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述沉积的金属为镍Ni、钛Ti或者钴Co；

所述金属硅化物为镍基硅化物、钛基硅化物或钴基硅化物。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第一、二、三、四侧壁层包括：二氧化硅和氮化硅；

所述对第一、二、三、四侧壁层进行刻蚀的方法包括：采用氢氟酸HF对二氧化硅进行刻蚀，采用磷酸H₃PO₄对氮化硅进行刻蚀。

8.一种金属硅化物桥连测试方法，该方法应用于如权利要求1所述的金属硅化物桥连测试结构，该方法包括：依次在每相邻的两个衬垫之间施加电压，如果所述两个相邻衬垫之间的电流值大于0，则判定所述两个相邻衬垫之间的侧壁层之上存在金属硅化物；如果所述两个相邻衬垫之间的电流值等于0，则判定所述两个相邻衬垫之间的侧壁层之上不存在金属硅化物。